[發明專利]一種制造復合納米薄膜的方法無效
| 申請號： | 201410061492.5 | 申請日： | 2014-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN103862751A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 楊亞杰;楊曉潔;楊文耀;徐建華;蔣亞東 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | B32B15/20 | 分類號： | B32B15/20;B32B9/00;C08G73/02;C08G61/12 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 譚新民 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制造 復合 納米 薄膜 方法 | ||
1.一種制造復合納米薄膜的方法，其特征在于，包括：
將羧基化氧化石墨烯和納米粒子分散于有機溶劑中，獲得羧基化氧化石墨烯和納米粒子分散液；
將所述羧基化氧化石墨烯和納米粒子分散液的至少一部分鋪展于LB膜槽中的含鐵離子水溶液表面，在所述含鐵離子水溶液表面形成氧化石墨烯/三價鐵離子/納米粒子復合納米薄膜；
用LB成膜法將所述氧化石墨烯/三價鐵離子/納米粒子復合納米薄膜的至少一部分轉移至基片表面；
將所述氧化石墨烯/三價鐵離子/納米粒子復合納米薄膜中的三價鐵離子置換為三氯化鐵，獲得氧化石墨烯/三氯化鐵/納米粒子復合納米薄膜；
將所述氧化石墨烯/三氯化鐵/納米粒子復合納米薄膜在導電聚合物單體氣氛中進行化學氣相聚合沉積，獲得氧化石墨烯/導電聚合物/納米粒子復合納米薄膜；
將所述氧化石墨烯/導電聚合物/納米粒子復合納米薄膜中的氧化石墨烯還原為還原氧化石墨烯，獲得還原氧化石墨烯/導電聚合物/納米粒子復合納米薄膜。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述氧化石墨烯/導電聚合物/納米粒子復合納米薄膜中的氧化石墨烯還原為還原氧化石墨烯的步驟包括：將所述氧化石墨烯/導電聚合物/納米粒子復合納米薄膜置于水合肼中進行還原。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述納米粒子為納米金、納米銀和/或納米二氧化鈦。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述導電聚合物單體為苯胺、噻吩或者3,4-乙烯二氧噻吩。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述基片為氧化銦錫或者鋁箔。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述有機溶劑為甲酰胺或正丁醇的去離子水溶液。
7.如權利要求1至6中任意一項所述的方法，其特征在于，所述將所述氧化石墨烯/三價鐵離子/納米粒子復合納米薄膜中的三價鐵離子置換為三氯化鐵的步驟包括：將所述氧化石墨烯/三價鐵離子/納米粒子復合納米薄膜置于氯化氫氣體環境中進行反應。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述羧基化氧化石墨烯和納米粒子分散液中，所述羥基化氧化石墨烯的濃度為10毫克/毫升至20毫克/毫升，所述納米粒子的濃度為1毫克/毫升至5毫克/毫升。
9.如權利要求1至8中任意一項所述的方法，其特征在于：所述含鐵離子水溶液為三氯化鐵水溶液或者甲基苯磺酸鐵水溶液。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于：所述三氯化鐵水溶液中，三氯化鐵的濃度為2摩爾/升至4摩爾/升。
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