[發明專利]半導體封裝結構的形成方法

有效

• 申請號: 201410061267.1
• 申請日: 2014-02-24
• 公開（公告）號: CN103903989A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 夏鑫;丁萬春;高國華
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 孟阿妮

1.一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體芯片，所述芯片的表面設有焊盤和鈍化層，所述鈍化層設有裸露所述焊盤的第一開口；

在芯片的焊盤和鈍化層上依次形成耐熱金屬層和金屬浸潤層；

在金屬浸潤層上形成光刻膠，所述光刻膠設有曝露出芯片焊盤上方金屬浸潤層的第二開口；

在第二開口中的金屬浸潤層上依次形成附著層和阻擋層；

在阻擋層上形成焊料；

去除光刻膠；

蝕刻鈍化層上的耐熱金屬層和金屬浸潤層至鈍化層裸露；

回流焊料，形成柱狀凸點；

提供引線框架，所述引線框架設有若干分立的引腳，內引腳和外引腳設于引腳的相對兩面；

將形成有柱狀凸點的芯片倒裝于引線框架上，所述柱狀凸點與所述內引腳電連接；

形成密封所述芯片、柱狀凸點和引線框架，并裸露出所述外引腳的塑封層。

2.根據權利要求1所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述第二開口小于所述第一開口。

3.根據權利要求1所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述耐熱金屬層的材料是鈦、鉻、鉭或它們的組合。

4.根據權利要求1所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述金屬浸潤層的材料是銅、鋁、鎳或它們的組合。

5.根據權利要求1所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述附著層的材料是銅。

6.根據權利要求5所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述銅附著層的厚度是5～50μm。

7.根據權利要求1所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料是鎳。

8.根據權利要求7所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述鎳阻擋層的厚度是1.5～3μm。

9.根據權利要求1所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述焊料的材質是純錫或錫合金。

10.根據權利要求9所述的一種半導體封裝結構的形成方法，其特征在于，所述焊料的厚度是5～70μm。