[發明專利]半導體裝置、AC/DC轉換器、PFC電路和電機驅動器有效
| 申請號： | 201410061193.1 | 申請日： | 2014-02-24 |
| 公開（公告）號： | CN104868890B | 公開（公告）日： | 2019-01-01 |
| 發明（設計）人： | 近藤啟 | 申請（專利權）人： | 三墾電氣株式會社 |
| 主分類號： | H03K17/04 | 分類號： | H03K17/04;H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 陶海萍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 ac dc 轉換器 pfc 電路 電機 驅動器 | ||
1.一種半導體裝置，具有絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，所述絕緣柵雙極型晶體管具有第一雙極型晶體管(Q1)和第一場效應晶體管(NM1)，所述第一雙極型晶體管的基極連接所述第一場效應晶體管的漏極，
其特征在于，所述半導體裝置還具有旁通路徑，所述旁通路徑的一端連接所述第一雙極型晶體管的發射極，所述旁通路徑的另一端連接所述第一雙極型晶體管的基極，
并且，所述絕緣柵雙極型晶體管處于導通狀態時所述旁通路徑的阻抗與所述絕緣柵雙極型晶體管處于關斷狀態時所述旁通路徑的阻抗不同，其中，
所述絕緣柵雙極型晶體管處于導通狀態時，所述旁通路徑的阻抗變大；
所述絕緣柵雙極型晶體管處于關斷狀態時，所述旁通路徑的阻抗變小。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述旁通路徑包括第二場效應晶體管(PM2)，所述第二場效應晶體管為P溝道金屬氧化物晶體管。
3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第二場效應晶體管的漏極連接所述第一雙極型晶體管的基極，
所述第二場效應晶體管的源極連接所述第一雙極型晶體管的發射極。
4.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第二場效應晶體管的柵極接地。
5.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，
所述半導體裝置還具有串聯于所述第二場效應晶體管的漏極和所述第一場效應晶體管的柵極之間的至少兩個電容，
所述第二場效應晶體管的柵極與所述至少兩個電容的中間電極連接。
6.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第二場效應晶體管的漏極與所述第二場效應晶體管的背柵極連接。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置還包括：
第二雙極型晶體管(Q2)，所述第二雙極型晶體管的發射極連接所述第一雙極型晶體管的發射極，所述第二雙極型晶體管的基極連接所述第一場效應晶體管的漏極。
8.一種交流/直流(AC/DC)轉換器，其包括如權利要求1-7任意一項所述的半導體裝置。
9.一種功率因數校正(PFC)電路，其包括如權利要求1-7任意一項所述的半導體裝置。
10.一種電機驅動器，其包括如權利要求1-7任意一項所述的半導體裝置。
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