[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201410061074.6
• 申請日: 2014-02-24
• 公開（公告）號: CN104465741A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 安本恭章;梁瀨直子;阿部和秀;內原士;齊藤泰伸;仲敏行;吉岡啟;小野祐;大野哲也;藤本英俊;增子真吾;古川大;八木恭成;湯元美樹;飯田敦子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/423;H01L29/872;H01L29/40
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐冰冰;劉杰

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

GaN系半導體層，表面相對m面或a面具有0度以上5度以下的角度；

第一電極，設置于上述表面，具有第一端部；以及

第二電極，與上述第一電極分離地設置于上述表面，具有與上述第一端部對置的第二端部，連接上述第一端部的任意點和上述第二端部的任意點的線段的方向與上述GaN系半導體層的c軸方向不同。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第一端部與上述第二端部平行。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第一端部和上述第二端部相對上述c軸方向平行。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述GaN系半導體層具有GaN層和AlGaN層的層疊結構，上述表面為上述AlGaN層的表面。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在上述第一電極與上述第二電極之間，進一步具備第三電極。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第一電極及上述第二電極與上述GaN系半導體層的接觸是歐姆接觸。

7.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

GaN系半導體層；

第一電極，設置于上述GaN系半導體層的表面，具有第一端部；以及

第二電極，與上述第一電極分離地設置于上述表面，具有與上述第一端部對置且與上述第一端部不平行的第二端部。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第一端部及上述第二端部為直線狀。

9.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第一端部或上述第二端部為階梯狀。

10.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第一端部或上述第二端部為曲線狀。

11.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

在上述第一電極與上述第二電極之間，進一步具備第三電極。

12.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第一電極及上述第二電極與上述GaN系半導體層的接觸是歐姆接觸。

13.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

GaN系半導體層；

第一電極，設置于上述GaN系半導體層的表面，具有曲線狀的第一端部；以及

第二電極，與上述第一電極分離地設置于上述表面，具有與上述第一端部對置的曲線狀的第二端部。

14.如權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第一端部及上述第二端部為環狀。

15.如權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于，

在上述第一電極與上述第二電極之間，進一步具備第三電極。

16.如權利要求15所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第一電極及上述第二電極與上述GaN系半導體層的接觸是歐姆接觸。