[發(fā)明專利]基于溫度的自適應(yīng)擦除或編程并行性

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410060883.5
• 申請日: 2014-02-24
• 公開（公告）號: CN104036811B
• 公開（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R·K·埃谷奇;J·S·朝伊;何晨;K·K·泰勒
• 申請（專利權(quán)）人: 恩智浦美國有限公司
• 主分類號: G11C7/04
• 分類號: G11C7/04
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038
• 代理人: 郭思宇

本發(fā)明涉及基于溫度的自適應(yīng)擦除或編程并行性。一種方法，在一個實施方案中包括通過使用電荷泵（220）的電壓執(zhí)行存儲操作以將存儲陣列（201）的存儲單元置于第一邏輯狀態(tài)（514,714）。一部分所述操作是通過使用所述電荷泵的所述電壓在所述存儲單元上執(zhí)行的。所述存儲陣列的溫度和閾值（503,703）進行比較。如果所述溫度高于參考水平，所述電荷泵上的負載通過僅僅給減小數(shù)量的存儲單元提供所述電壓而被減小。

本申請涉及美國專利申請序列號15/170,009，在2011年6月27日提交的(代理人案號No.AC50505TP)，標題為“非易失性存儲器的自適應(yīng)寫程序”，并且命名Chen He andRichard Eguchi為發(fā)明人。以上申請內(nèi)容因此全部包括在本申請內(nèi)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明公開通常涉及非易失性存儲器，更具體地說，涉及鑒于溫度條件自適應(yīng)編程和擦除非易失性存儲器的系統(tǒng)及方法。

背景技術(shù)

裝置泄漏是非易失性存儲器，例如可擦可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦只讀存儲器(EEPROM)以及塊擦除的EEPROM(例如，“閃光”存儲器)等等的設(shè)計和操作所面臨的挑戰(zhàn)。裝置泄漏增加了非易失性存儲器(NVM)模塊內(nèi)的電源組件，例如電荷泵的負載，并可以導(dǎo)致性能下降。另一個問題是由于低壓驅(qū)動強度的滾降而在低壓下減小的信噪免疫力。此外，帶有循環(huán)的存儲單元的跨導(dǎo)退化非常顯著，特別是有較小的單元尺寸。

對于擦除程序，增加的裝置泄漏可能給用于提供擦除偏壓的電荷泵帶來顯著負載。結(jié)果，存儲單元可能接收低效的擦除脈沖偏壓電平，并可能無法擦除。對于編程程序，增加的列泄漏可能給漏極電荷泵帶來顯著負載。結(jié)果，存儲單元可以接收非常低效的編程脈沖偏壓電平，并且可能無法被正確編程。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種方法，該方法包括：接收信號，其中所述信號表示測量的溫度；以及在存儲單元組上執(zhí)行存儲操作，其中所述存儲單元組中存儲單元的數(shù)量至少部分基于所述測量的溫度。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：多個非易失性存儲單元；被配置以給存儲操作提供電壓的電壓源；被配置以測量溫度的溫度傳感器；以及耦合于所述存儲單元、所述電壓源和所述溫度傳感器的控制器，其中所述控制器被配置以在所述存儲單元中的一個存儲單元組上執(zhí)行存儲操作，其中所述存儲單元組中存儲單元的數(shù)量至少部分地基于所述溫度。

附圖說明

通過參考下面的說明書以及附圖，嫻熟的從業(yè)者將認識到本發(fā)明公開的好處、特征和優(yōu)點。附圖不一定按比例繪制。

圖1根據(jù)本發(fā)明的一個實施例示出包括非易失性存儲器(NVM)的集成電路的一個例子的方框圖。

圖2根據(jù)本發(fā)明的一個實施例示出NVM的一個例子的方框圖。

圖3根據(jù)本發(fā)明的一個實施例示出擦除操作的一個例子的流程圖。

圖4根據(jù)本發(fā)明的一個實施例示出擦除操作的預(yù)編程程序的一個例子的流程圖。

圖5根據(jù)本發(fā)明的一個實施例示出擦除操作的擦除程序的一個例子的流程圖。

圖6根據(jù)本發(fā)明的一個實施例示出擦除操作的軟編程程序的一個例子的流程圖。

圖7根據(jù)本發(fā)明的一個實施例示出編程操作的一個例子的流程圖。

圖8根據(jù)本發(fā)明的一個實施例示出非易失性存儲器中的存儲塊和NVM控制器的一個例子的方框圖。

圖9根據(jù)本發(fā)明的一個實施例示出非易失性存儲單元的一個例子的方框圖。

具體實施方式