[發明專利]單片半導體襯底濕法刻蝕裝置無效
| 申請號： | 201410060620.4 | 申請日： | 2014-02-21 |
| 公開（公告）號： | CN103839799A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發明（設計）人： | 宋振偉;徐友峰;陳晉 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單片 半導體 襯底 濕法 刻蝕 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種單片半導體襯底濕法刻蝕裝置，其特征在于，包括：
單片反應腔體，用于進行單片半導體襯底進行濕法刻蝕和清洗；
IPA干燥腔體，與所述單片反應腔體的一側相連接，用于對單片半導體襯底進行IPA干燥。
2.如權利要求1所述的單片半導體襯底濕法刻蝕裝置，其特征在于，所述IPA干燥腔體設置于所述單片反應腔體的頂部。
3.如權利要求1所述的單片半導體襯底濕法刻蝕裝置，其特征在于，所述單片反應腔體與IPA干燥腔體之間設置有密封蓋，用于實現兩者之間的密封。
4.如權利要求1所述的單片半導體襯底濕法刻蝕裝置，其特征在于，還包括：機械手，用于在所述單片反應腔體與IPA干燥腔體之間傳輸半導體襯底。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
