[發(fā)明專利]一種摻銩氟化釔鈉激光晶體及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410060594.5 | 申請日： | 2014-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN103774221A | 公開（公告）日： | 2014-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 夏海平;李珊珊;符立;董艷明;唐磊;汪沛淵;彭江濤;張約品 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波大學 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B11/00;H01S3/16 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 氟化 激光 晶體 及其 制備 方法 | ||
1.一種摻銩氟化釔鈉激光晶體及其制備方法，其特征在于該Tm3+摻雜氟化釔鈉單晶體的化學式為NaY(1-α)TmαF4。其中Tm置換Y，0.0029≤α≤0.0349。
Tm3+摻雜NaYF4單晶體，當0.0078＜α＜0.0175，在800nm光激發(fā)下，～1.8μm波段的熒光發(fā)射最強。
2.權(quán)利要求1所述的一種摻銩氟化釔鈉激光晶體的制備方法，其特征在于步驟如下：
1)、將NaF、YF3與TmF3按摩爾百分比55.5∶44.23～41.0∶0.27～3.5混合，置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均勻粉末的混合料；
2)、將上述混合料置于鉑金坩鍋中，鉑金坩鍋安裝于管式電阻爐的鉑金管道中，然后用N2氣排除鉑金管道中的空氣，在溫度770～820℃，通HF氣下，反應處理1～5小時，反應處理結(jié)束，關(guān)閉HF氣體與管式電阻爐，用N2氣清洗管道中殘留的HF氣體，得到多晶粉料；
3)、將上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩堝中并壓實，密封Pt坩堝；密封就隔絕了空氣和水汽，使得晶體生長過程中與空氣和水汽隔絕，使生長的Tm3+摻雜NaYF4單晶體品質(zhì)高；
4)、將密封的Pt坩堝置于硅鉬棒爐中，用坩堝下降法生長晶體，生長晶體的參數(shù)為：爐體溫度為960～1010℃，接種溫度為850～870℃，固液界面的溫度梯度為20～80℃/cm，下降坩鍋進行晶體生長的速度為0.2～2.0mm/h，晶體生長結(jié)束后，以20～80℃/h下降爐溫至室溫，得到Tm3+摻雜NaYF4單晶體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于步驟1)中所述的NaF、YF3和TmF3的純度均大于99.99％。
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