[發(fā)明專利]一種鋱鐿稀土離子雙摻雜氟化镥釓鋰上轉(zhuǎn)換發(fā)光晶體及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410060568.2
• 申請(qǐng)日: 2014-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN103774211A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏海平;符立;董艷明;李珊珊;唐磊;汪沛淵;彭江濤;張約品
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧波大學(xué)
• 主分類號(hào): C30B11/00
• 分類號(hào): C30B11/00;C30B29/12
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1.一種鋱鐿稀土離子雙摻雜氟化镥釓鋰上轉(zhuǎn)換發(fā)光晶體及其制備方法，其特征在于該Tb³⁺/Yb³⁺稀土離子雙摻雜氟化镥鋰單晶體的化學(xué)式為LiLu_(1-α-β-γ)Gd_αYb_β3Tb_γF₄，其中α、β、γ分別為Gd、Yb、Tb置換Lu的摩爾比，0.050≤α≤0.10，0.01≤β≤0.12，0.001≤γ≤0.01。

2.權(quán)利要求1所述的一種鋱鐿稀土離子雙摻雜氟化镥釓鋰上轉(zhuǎn)換發(fā)光晶體的制備方法，其特征在于步驟如下：

1)、將LiF、LuF₃、GdF₃、YbF₃、TbF₃按摩爾百分比51.5∶40.29～21.1∶7.1～14.3∶1.01～12.1∶0.10～1.0混合，置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均勻粉末的混合料；

2)、將上述混合料置于舟形鉑金坩鍋中，再安裝于管式電阻爐的鉑金管道中，然后先用N₂氣排除鉑金管道中的空氣，再在溫度700～750℃，通HF氣下，反應(yīng)處理1～5小時(shí)，反應(yīng)處理結(jié)束，關(guān)閉HF氣體與管式電阻爐，用N₂氣清洗管道中殘留的HF氣體，得到多晶粉料；

3)、采用密封坩鍋下降法進(jìn)行晶體生長。將上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩堝中并壓實(shí)，密封Pt坩堝；密封就隔絕了空氣和水汽，使得晶體生長過程中與空氣和水汽隔絕，使生長的Tb³⁺/Yb³⁺雙摻雜LiLuGdF₄單晶體品質(zhì)高；

4)、將密封的Pt坩堝置于硅鉬棒爐中，用坩堝下降法生長晶體，生長晶體的參數(shù)為：爐體溫度為860～880℃，接種溫度為760～780℃，固液界面的溫度梯度為20～80℃/cm，下降坩鍋進(jìn)行晶體生長，生長的速度為0.2～2.0mm/h。晶體生長結(jié)束后，采用原位退火，以20～80℃/h下降爐溫至室溫，得到Eu³⁺摻雜NaGdF₄單晶體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于步驟1)中所述的LiF、LuF₃、GdF₃、YbF₃、TbF₃的純度均大于99.99％。