[發(fā)明專利]一種鋱鐿稀土離子雙摻雜氟化镥釓鋰上轉(zhuǎn)換發(fā)光晶體及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410060568.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-02-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103774211A | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 夏海平;符立;董艷明;李珊珊;唐磊;汪沛淵;彭江濤;張約品 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 寧波大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C30B11/00 | 分類號(hào): | C30B11/00;C30B29/12 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 315211 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 稀土 離子 摻雜 氟化 镥釓鋰上 轉(zhuǎn)換 發(fā)光 晶體 及其 制備 方法 | ||
1.一種鋱鐿稀土離子雙摻雜氟化镥釓鋰上轉(zhuǎn)換發(fā)光晶體及其制備方法,其特征在于該Tb3+/Yb3+稀土離子雙摻雜氟化镥鋰單晶體的化學(xué)式為LiLu(1-α-β-γ)GdαYbβ3TbγF4,其中α、β、γ分別為Gd、Yb、Tb置換Lu的摩爾比,0.050≤α≤0.10,0.01≤β≤0.12,0.001≤γ≤0.01。
2.權(quán)利要求1所述的一種鋱鐿稀土離子雙摻雜氟化镥釓鋰上轉(zhuǎn)換發(fā)光晶體的制備方法,其特征在于步驟如下:
1)、將LiF、LuF3、GdF3、YbF3、TbF3按摩爾百分比51.5∶40.29~21.1∶7.1~14.3∶1.01~12.1∶0.10~1.0混合,置于碾磨器中,碾磨混合5~6h,得到均勻粉末的混合料;
2)、將上述混合料置于舟形鉑金坩鍋中,再安裝于管式電阻爐的鉑金管道中,然后先用N2氣排除鉑金管道中的空氣,再在溫度700~750℃,通HF氣下,反應(yīng)處理1~5小時(shí),反應(yīng)處理結(jié)束,關(guān)閉HF氣體與管式電阻爐,用N2氣清洗管道中殘留的HF氣體,得到多晶粉料;
3)、采用密封坩鍋下降法進(jìn)行晶體生長。將上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末,然后置于Pt坩堝中并壓實(shí),密封Pt坩堝;密封就隔絕了空氣和水汽,使得晶體生長過程中與空氣和水汽隔絕,使生長的Tb3+/Yb3+雙摻雜LiLuGdF4單晶體品質(zhì)高;
4)、將密封的Pt坩堝置于硅鉬棒爐中,用坩堝下降法生長晶體,生長晶體的參數(shù)為:爐體溫度為860~880℃,接種溫度為760~780℃,固液界面的溫度梯度為20~80℃/cm,下降坩鍋進(jìn)行晶體生長,生長的速度為0.2~2.0mm/h。晶體生長結(jié)束后,采用原位退火,以20~80℃/h下降爐溫至室溫,得到Eu3+摻雜NaGdF4單晶體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于步驟1)中所述的LiF、LuF3、GdF3、YbF3、TbF3的純度均大于99.99%。
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