[發明專利]一種Ce3 +離子摻雜氟化釓鋰紫外激光晶體及其制備方法

無效

• 申請號: 201410060530.5
• 申請日: 2014-02-20
• 公開（公告）號: CN103820854A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 夏海平;董艷明;符立;李珊珊;唐磊;汪沛淵;彭江濤;張約品
• 申請（專利權）人: 寧波大學
• 主分類號: C30B29/12
• 分類號: C30B29/12;C30B11/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種Ce³⁺離子摻雜氟化釓鋰紫外激光晶體及其制備方法，其特征在于該Ce³⁺摻雜氟化釓鋰單晶體的化學式為LiGd_(1-α)Ce_αF₄。其中0.002≤α≤0.020。

2.權利要求1所述的一種Ce³⁺摻雜氟化釓鋰紫外激光晶體的制備方法，其特征在于步驟如下：

1)、將純度大于99.99％的LiF、GdF₃與CeF₃按摩爾百分比58.0～65.0∶28.5～41.35∶0.65～6.5混合，置于碾磨器中，碾磨混合5～6h，得到均勻粉末的混合料；

2)、將上述混合料置于鉑金坩鍋中，鉑金坩鍋安裝于管式電阻爐的鉑金管道中，然后用N₂氣排除鉑金管道中的空氣，在溫度700～730℃，通HF氣下，反應處理1～5小時，反應處理結束，關閉HF氣體與管式電阻爐，用N₂氣清洗管道中殘留的HF氣體，得到多晶粉料；

3)、采用密封坩鍋下降法進行晶體生長。將上述多晶粉料置于碾磨器磨成粉末，然后置于Pt坩堝中并壓實，密封Pt坩堝；密封就隔絕了空氣和水汽，使得晶體生長過程中與空氣和水汽隔絕，使生長的Ce³⁺摻雜LiGdF₄單晶體品質高；

4)、將密封的Pt坩堝置于硅鉬棒爐中，用坩堝下降法生長晶體，生長晶體的參數為：爐體溫度為850～870℃，接種溫度為760～770℃，固液界面的溫度梯度為20～80℃/cm，下降坩鍋進行晶體生長的速度為0.2～2.0mm/h。晶體生長結束后，采用原位退火，以20～80℃/h下降爐溫至室溫，得到Ce³⁺摻雜LiGdF₄單晶體。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于步驟1)中所述的LiF、GdF₃和CeF₃的純度均大于99.99％。