[發明專利]半導體模塊及其制造方法

無效

• 申請號: 201410059241.3
• 申請日: 2014-02-21
• 公開（公告）號: CN104051445A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 井口知洋;內田雅之;平塚大佑;福滿昌子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/48;H01L21/50;H02M7/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙;胡建新

相關申請的引用

本申請主張2013年3月15日申請的在先日本專利申請第二013－53873號的優先權，其全部內容通過引用包含于此。

技術領域

這里說明的實施方式整體上涉及半導體模塊及其制造方法。

背景技術

在各種用途的逆變器（inverter）裝置那樣的半導體模塊中，期望實現高效率、高可靠性以及更加小型化。進而，在半導體模塊中，要求高生產力。

發明內容

本發明的實施方式提供一種生產力高的半導體模塊及其制造方法。

根據本發明的實施方式，提供一種包含第一電路部件、第二電路部件和第三電路部件的半導體模塊。上述第一電路部件包含第一基板、第一導電層、第一開關元件和第一二極管。上述第一導電層設置在上述第一基板之上。上述第一導電層包含第一元件搭載部。上述第一開關元件設置在上述第一元件搭載部上。上述第一二極管設置在上述第一元件搭載部上。上述第二電路部件在與從上述第一開關元件朝向上述第一二極管的第一方向交叉的第二方向上與上述第一電路部件分離。上述第二電路部件包含第二基板、第二導電層、第二開關元件和第二二極管。上述第二導電層設置在上述第二基板之上。上述第二導電層包含第二元件搭載部。上述第二開關元件設置在上述第二元件搭載部上。上述第二二極管設置在上述第二元件搭載部上。從上述第二開關元件朝向上述第二二極管的方向是與上述第一方向相同的方向。在上述第一電路部件與上述第三電路部件之間配置上述第二電路部件。上述第三電路部件包含第三基板、第三導電層、第三開關元件和第三二極管。上述第三導電層設置在上述第三基板之上。上述第三導電層包含第三元件搭載。上述第三開關元件設置在上述第三元件搭載部上。上述第三二極管設置在上述第三元件搭載部上。從上述第三開關元件朝向上述第三二極管的方向是與上述第一方向相反的方向。

根據另一實施方式，提供一種半導體模塊的制造方法，具備檢查工序和配置工序，上述檢查工序中，對多個電路部件實施判定處理，該判定處理中，經由上述電路部件的元件搭載部、主電極用導電部以及控制電極用導電部，對開關元件以及二極管的特性進行評價，根據上述特性的上述評價的結果，判定上述開關元件以及上述二極管是合格品還是不合格品；上述電路部件包含：絕緣性的基板；導電層，包含在上述基板之上設置的上述元件搭載部、上述主電極用導電部以及上述控制電極用導電部；上述開關元件，設置在上述元件搭載部之上，包含元件部、在上述元件部的上表面設置的主電極以及控制電極；上述二極管，設置在上述元件搭載部之上，包含二極管元件部和在上述二極管元件部的上表面設置的二極管電極；主引線，將上述主電極用導電部、上述二極管電極以及上述主電極電連接；以及控制引線，將上述控制電極用導電部和上述控制電極電連接；上述配置工序中，將在上述檢查工序中判定為合格品的多個上述電路部件中的第一電路部件、第二電路部件以及第三電路部件配置在基底之上；配置為，在上述第一電路部件與上述第三電路部件之間配置上述第二電路部件，上述第一電路部件的從上述開關元件朝向上述二極管的第一方向相對于從上述第一電路部件朝向上述第二電路部件的方向交叉，上述第二電路部件的從上述開關元件朝向上述二極管的方向是與上述第一方向相同的朝向，上述第三電路部件的從上述開關元件朝向上述二極管的方向是與上述第一方向相反的朝向。

根據實施方式的半導體模塊及其制造方法，生產力較高。

附圖說明

圖1是表示第一實施方式的半導體模塊的示意立體圖。

圖2是表示第一實施方式的半導體模塊的示意分解立體圖。

圖3是表示第一實施方式的半導體模塊的示意平面圖。

圖4是表示第一實施方式的半導體模塊的示意側面圖。

圖5是表示第一實施方式的半導體模塊的立體圖。

圖6A～圖6C是表示第一實施方式的安裝基板的立體圖。

圖7是表示第二實施方式的半導體模塊的制造方法的流程圖。

具體實施方式

以下，參照附圖說明各實施方式。

另外，附圖是示意性或概念性的，各部分的厚度和寬度之間的關系、部分間的大小的比率等不一定與現實情況相同。此外，即便在表示相同部分的情況下，根據圖面的不同，有時也對相互的尺寸、比率進行不同的表現。

另外，本申請說明書與各圖中，關于已有的圖，對于與在前描述的情況相同的要素附加同一符號而將詳細說明適宜省略。

本實施方式的半導體模塊包含例如在逆變器裝置等電力變換裝置中使用的半導體模塊。