[發明專利]具有降低的1/F噪聲的雙極晶體管及其操作方法

無效

• 申請號: 201410059004.7
• 申請日: 2014-02-21
• 公開（公告）號: CN104051508A
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 托馬斯·勞埃德·博特金
• 申請（專利權）人: 凌力爾特公司
• 主分類號: H01L29/735
• 分類號: H01L29/735;H01L29/423
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王田

1.一種雙極晶體管，其包括：

第一導電類型的射極；

所述第一導電類型的集極；

第二導電類型的基極，其在所述射極與所述集極之間，所述基極具有表面部分，所述射極、基極及集極形成雙極晶體管；

柵極電介質，其形成于所述基極的所述表面部分的至少一部分上方在所述射極與集極之間；及

導電柵極，其形成于所述柵極電介質上方，所述柵極耦合到電壓電位，所述柵極電介質及電壓電位使得當通過相對于所述基極正向偏置所述射極而接通所述晶體管時，由所述柵極產生的所得電場迫使所述基極中的較多少數電流在所述基極的所述表面部分下方較深處于所述射極與集極之間傳導。

2.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述晶體管為橫向晶體管。

3.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述柵極電介質的厚度小于1000埃。

4.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述柵極電介質的厚度小于600埃。

5.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述柵極電介質的厚度小于300埃。

6.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述柵極電介質是熱生長的。

7.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述柵極耦合到所述射極以便具有與所述射極相同的電位。

8.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述晶體管為PNP型，且所述柵極連接到比所述基極更正的電壓。

9.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述晶體管為NPN型，且所述柵極連接到比所述基極更負的電壓。

10.根據權利要求1所述的晶體管，其中由所述柵極產生的所述所得電場減少所述晶體管中的1/f噪聲。

11.根據權利要求1所述的晶體管，其中由所述柵極產生的所述所得電場降低所述晶體管的1/f噪聲轉角。

12.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述基極是外延生長的。

13.一種操作雙極晶體管的方法，所述晶體管包括：第一導電類型的射極、所述第一導電類型的集極及在所述射極與所述集極之間的第二導電類型的基極，所述基極具有在所述射極與所述集極之間的表面部分，所述方法包括：

通過相對于所述基極正向偏置所述射極而接通所述晶體管；及

向通過柵極電介質與所述表面部分絕緣的導電柵極施加電壓，使得所述基極中的少數載流子由在所述基極與所述柵極之間形成的電場從所述表面部分排斥以迫使所述基極中的較多少數電流在所述基極的所述表面部分下方較深處于所述射極與集極之間傳導。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述柵極電介質不完全在所述射極及集極上方延伸。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述晶體管為橫向晶體管。

16.根據權利要求13所述的方法，其中所述柵極電介質的厚度小于1000埃。

17.根據權利要求13所述的方法，其中所述柵極電介質的厚度小于600埃。

18.根據權利要求13所述的方法，其進一步包括熱生長所述柵極電介質。

19.根據權利要求13所述的方法，其中所述向所述柵極施加所述電壓的步驟包括將所述柵極耦合到所述射極以便使其具有與所述射極相同的電位。

20.根據權利要求13所述的方法，其中所述晶體管為PNP型，且所述柵極連接到比所述基極更正的電壓。

21.根據權利要求13所述的方法，其中所述晶體管為NPN型，且所述柵極連接到比所述基極更負的電壓。

22.根據權利要求13所述的方法，其中由所述柵極產生的所述所得電場減少所述晶體管中的1/f噪聲。

23.根據權利要求13所述的方法，其中由所述柵極產生的所述所得電場降低所述晶體管的1/f噪聲轉角。