[發(fā)明專(zhuān)利]一種無(wú)機(jī)相變光刻膠和基于無(wú)機(jī)相變光刻膠的光刻工藝

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410058686.X
• 申請(qǐng)日: 2014-02-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103809376A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉前
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘇州華維納納米科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/004
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/004;G03F7/20
• 代理公司: 蘇州慧通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32239
• 代理人: 丁秀華

1.一種無(wú)機(jī)相變光刻膠，其特征在于：所述無(wú)機(jī)相變光刻膠為鍺銻錫碲化合物，其通式為Ge₂Sb_2(1-x)Sn_2xTe₅，并且0<x<0.3。

2.一種基于無(wú)機(jī)相變光刻膠的光刻工藝，其特征在于：所述無(wú)機(jī)相變光刻膠為鍺銻錫碲化合物，其通式為Ge₂Sb_2(1-x)Sn_2xTe₅，并且0<x<0.3，所述光刻工藝包括如下步驟：

a、選取基底；

b、在所述基底上采用物理氣相沉積法沉積一層鍺銻錫碲化合物薄膜；

c、采用激光對(duì)步驟b中所獲得的鍺銻錫碲化合物薄膜進(jìn)行圖形化刻寫(xiě)，使刻寫(xiě)或曝光的材料局部區(qū)域發(fā)生相變形成所需圖案，再把圖案化的樣品放到顯影溶液中顯影刻蝕；

d、取出步驟c顯影刻蝕后的樣品，采用去離子水洗滌，并得到帶有特定結(jié)構(gòu)的鍺銻錫碲化合物掩膜；

e、將步驟d中得到鍺銻錫碲化合物掩膜的樣品放到反應(yīng)離子室中進(jìn)行干法刻蝕，將圖案最終轉(zhuǎn)移到所述的基底上；

f、對(duì)步驟e中獲得的樣品直接在反應(yīng)離子室內(nèi)用氬氣進(jìn)行干法去除殘留的相變薄膜或采用濃度高于50％的硝酸濕法去除殘膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種利用無(wú)機(jī)相變光刻膠的光刻工藝，其特征在于：所述步驟a中的基底包括二氧化硅片或者單晶硅片。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種利用無(wú)機(jī)相變光刻膠的光刻工藝，其特征在于：所述步驟b中的鍺銻錫碲化合物薄膜的厚度為20200納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種利用無(wú)機(jī)相變光刻膠的光刻工藝，其特征在于：所述步驟b中的物理氣相沉積法包括直流磁控濺射、射頻磁控濺射、離子濺射或者激光脈沖沉積。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種利用無(wú)機(jī)相變光刻膠的光刻工藝，其特征在于：所述步驟b中的物理氣相沉積所用是所述鍺銻錫碲化合物六角晶態(tài)靶材。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種利用無(wú)機(jī)相變光刻膠的光刻工藝，其特征在于：所述步驟c中的顯影溶液為硝酸與雙氧水的混合溶液。