[發明專利]顯示器、制造和驅動顯示器的方法以及電子設備有效
| 申請號: | 201410058610.7 | 申請日: | 2014-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN104009060A | 公開(公告)日: | 2014-08-27 |
| 發明(設計)人: | 坂入卓;萩本賢哉;巖元勇人;嵯峨幸一郎;藤井宣年 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示器 制造 驅動 方法 以及 電子設備 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求于2013年2月27日提交的日本在先專利申請JP2013-37375和于2013年7月31日提交的JP2013-159320的權益,通過引用將其各自全部內容結合于此。
技術領域
本技術涉及:一種具有包括有機電致發光(EL)元件的發光部的顯示器;一種制造顯示器的方法;一種驅動顯示器的方法;以及電子設備。
背景技術
近年來,使用有機電致發光(EL)元件或某些其他相似元件的顯示器已經引起關注,例如,平板顯示器。這種自發光顯示器具有寬視角和低功耗的特征。此外,由于有機EL元件被預期能夠充分響應高速和高清晰圖像信號,因此它們已經朝著實際應用發展。
自發光顯示器的缺點在于屏幕的亮度易變得不均勻。對于這種亮度不均勻性具有一定的原因。原因之一是:性能,更具體地是驅動元件的晶體管的閾值電壓Vth在制造過程期間不同。另一原因是:由于在部分屏幕上長時間地顯示白色圖像,因此該部分中的元件劣化,從而造成老化現象。
作為抑制如上述的屏幕亮度不均勻的方法的一個實例,已經提出設置調整每個元件的發光強度的電路(校正電路)。例如,日本待審專利申請公開第2010-78853號描述了一種技術,該技術在具有像素陣列的顯示區域之外提供受光部,并且通過利用受光部檢測來自這些發光元件的光來校正發光元件的發光強度。
發明內容
不幸的是,上述方法未能充分地防止亮度不均勻性。
期望提供一種能夠有效抑制亮度不均勻的顯示器、一種制造顯示器的方法、一種驅動顯示器的方法以及一種電子設備。
一種根據本技術的實施方式的顯示器包括:發光部,設置在顯示區域內;以及受光部,設置在顯示區域內并且被配置為從發光部接收光。
根據本技術的實施方式的電子設備設置有顯示器。該顯示器包括:發光部,設置在顯示區域內;以及受光部,設置在顯示區域內并且被配置為從發光部接收光。
根據本技術的上述實施方式的顯示器或電子設備,在顯示區域內設置受光部降低了發光部與受光部之間的距離。例如,可為每個像素設置受光部。
一種根據本技術的實施方式驅動顯示器的方法包括:使用像素驅動電路驅動設置在顯示區域內的發光部;使用設置在顯示區域內的受光部從發光部接收光;以及將根據由受光部接收的光的量的校正信號從校正電路發送至像素驅動電路。
一種根據本技術的實施方式制造顯示器的方法包括:在顯示區域內形成發光部;以及在顯示區域內形成受光部,受光部被配置為從發光部接收光。
根據本技術的上述實施方式中的顯示器、制造顯示器的方法、驅動顯示器的方法以及電子設備,受光部設置在顯示區域內。這能夠減小發光部與受光部之間的距離。因此,可以提高受光部的靈敏度,從而有效地抑制亮度不均勻性。
應當理解的是,上述一般性描述和下面的詳細描述均是示例性的,并且旨在提供對所保護的技術的進一步說明。
附圖說明
包括附圖以提供對公開的進一步理解,并且附圖被結合于該說明書中并構成本說明書的一部分。附圖示出了實施方式并與說明書一起用來說明本技術的原理。
圖1示出了根據本技術的第一實施方式的顯示器的橫截面的配置。
圖2示出了圖1中的顯示器的整體配置。
圖3示出了圖2中的像素驅動電路的示例性配置。
圖4是圖1中的顯示器的校正電路的說明性框圖。
圖5A是示出用于制造圖1中的顯示器(基板)的工藝的橫截面視圖。
圖5B是示出繼圖5A中的工藝之后的工藝的橫截面視圖。
圖5C是示出繼圖5B中的工藝之后的工藝的橫截面視圖。
圖5D是示出繼圖5C中的工藝之后的工藝的橫截面視圖。
圖6A是示出用于制造圖1中的顯示器(相對側基板)的工藝的橫截面視圖。
圖6B是示出繼圖6A中的工藝之后的工藝的橫截面視圖。
圖7是示出圖1中的顯示器的操作的橫截面視圖。
圖8是由圖1中的顯示器執行的亮度校正操作的說明性視圖。
圖9示出了根據比較實施例的顯示器的平面配置。
圖10示出了圖1中的另一示例性顯示器的橫截面的配置。
圖11示出了根據變形例1的顯示器的橫截面的配置。
圖12是圖11中的反射部的功能的說明性橫截面視圖。
圖13是示出形成圖11中的反射部的示例性方法的橫截面視圖。
圖14是示出形成圖11中的反射部的另一示例性方法的橫截面視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





