[發(fā)明專利]一種用于半導(dǎo)體熱處理設(shè)備的溫度控制等效方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410058329.3
• 申請(qǐng)日: 2014-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN103792971B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐冬;王艾;張乾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G05D23/22
• 分類號(hào): G05D23/22;H01L21/67
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,陶金龍

1.一種用于半導(dǎo)體熱處理設(shè)備的溫度等效控制方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體熱處理設(shè)備中包括多個(gè)控溫區(qū)，每個(gè)控溫區(qū)分別包括熱電偶、溫度控制單元和加熱單元；所述方法具體包括如下步驟：

步驟S1：根據(jù)Profile?TC、Inner?TC、Outer?TC和OverTemp?TC四種控溫模式在工藝穩(wěn)定狀態(tài)下的標(biāo)準(zhǔn)閾值，判斷系統(tǒng)在預(yù)定的時(shí)間內(nèi)是否穩(wěn)定，如果穩(wěn)定，執(zhí)行步驟S2；

步驟S2：在采樣周期中，連續(xù)采樣Profile?TC、Inner?TC、Outer?TC和OverTemp?TC熱電偶測(cè)量值并將所得到的測(cè)量值分別計(jì)算平均值，得到該采樣周期中各控溫模式下的穩(wěn)態(tài)值；

步驟S3：分別進(jìn)行Inner?TC與Outer?TC間、Outer?TC與OverTemp?TC間、Profile?TC和Inner?TC間的穩(wěn)態(tài)差值計(jì)算，得到該采樣周期的存放Inner?TC與Outer?TC及Outer?TC與OverTemp?TC間進(jìn)行溫度校準(zhǔn)的Profiling校準(zhǔn)表；使用Offset校準(zhǔn)表存放Profile?TC和Inner?TC間進(jìn)行溫度校準(zhǔn)的數(shù)值；Profiling校準(zhǔn)表包括Profiling?Result1校準(zhǔn)表，Profiling?Result2校準(zhǔn)表；

步驟S4：同步更新各校準(zhǔn)表，以Wafer?TC測(cè)量的溫度為基準(zhǔn)，通過(guò)Profile?TC與硅片本身表面溫度的Wafer?TC校準(zhǔn)表，以及所述各校準(zhǔn)表，溫度控制單元進(jìn)行補(bǔ)償控溫處理；

步驟S5：如果熱電偶發(fā)生故障，發(fā)出等效控制指令；

步驟S6：溫度控制單元接收溫度控制指令，分別選擇并切換到Inner?TC、Outer?TC、OverTempTC或幾者的組合控溫模式下進(jìn)行下一采樣周期的溫度等效控溫。

2.如權(quán)利要求1所述的溫度等效控制方法，其特征在于，所述Profile?TC控溫模式通過(guò)Wafer?TC校準(zhǔn)表校準(zhǔn)后，采用插值計(jì)算方法等效于硅片本身溫度Wafer?TC模式；其中，Wafer?TC校準(zhǔn)表表示Profile?TC與安裝在TC?Wafer硅片的量測(cè)熱電偶所獲得測(cè)量值的差異。

3.如權(quán)利要求2所述的溫度等效控制方法，其特征在于，所述插值計(jì)算方法為線性插值的方法，補(bǔ)償數(shù)據(jù)的插值計(jì)算具體包括三種模式：

①、如果Profile?TC采樣值小于Wafer?TC校準(zhǔn)表中最小溫度值，該校準(zhǔn)插值直接取最小溫度值對(duì)應(yīng)的校準(zhǔn)值；

②、如果Profile?TC采樣值大于Wafer?TC校準(zhǔn)表中最大溫度值，該校準(zhǔn)插值直接取最大溫度值對(duì)應(yīng)的校準(zhǔn)值；

③、如果Profile?TC采樣值大于Wafer?TC校準(zhǔn)表中最小溫度值，小于Wafer?TC校準(zhǔn)表中最大溫度值，則根據(jù)Profile?TC和Wafer?TC校準(zhǔn)值表中溫度區(qū)間較小和較大溫度值，計(jì)算該校準(zhǔn)插值。

4.如權(quán)利要求2所述的溫度等效控制方法，其特征在于，所述Inner?TC控溫模式通過(guò)Profile?TC校準(zhǔn)表校準(zhǔn)后，等效于Profile?TC模式，再應(yīng)用Wafer?TC校準(zhǔn)表采用插值計(jì)算方法等效于硅片本身溫度Wafer?TC模式。

5.如權(quán)利要求4所述的溫度等效控制方法，其特征在于，所述插值計(jì)算方法為線性插值的方法，補(bǔ)償數(shù)據(jù)的插值計(jì)算具體包括三種模式：

①、如果Inner?TC采樣值小于Offset校準(zhǔn)表中最小溫度值，該校準(zhǔn)插值直接取最小溫度值對(duì)應(yīng)的校準(zhǔn)值；

②、如果Inner?TC采樣值大于Offset校準(zhǔn)表中最大溫度值，該校準(zhǔn)插值直接取最大溫度值對(duì)應(yīng)的校準(zhǔn)值；

③、如果Inner?TC采樣值大于Offset校準(zhǔn)表中最小溫度值，小于Offset校準(zhǔn)表中最大溫度值，則根據(jù)校準(zhǔn)表該周期溫度區(qū)間內(nèi)較小和較大溫度值，計(jì)算該校準(zhǔn)插值。

6.如權(quán)利要求4所述的溫度等效控制方法，其特征在于，所述Outer?TC控溫模式通過(guò)Profiling?Result1校準(zhǔn)表校準(zhǔn)后，等效于Inner?TC溫控模式；然后，應(yīng)用Offset校準(zhǔn)等效于Profile?TC溫控模式，再應(yīng)用Wafer?TC校準(zhǔn)表采用插值計(jì)算方法等效于硅片本身溫度Wafer?TC模式。