[發(fā)明專利]具有間隙的底部填充圖案

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410058251.5
• 申請(qǐng)日: 2014-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN104716103B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許峰誠;黃厚儒;盧思維;林俊成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

第一封裝件，包含第一管芯；

襯底；

第一外部電連接件，將所述第一封裝件機(jī)械連接和電連接至所述襯底，所述第一外部電連接件位于所述第一封裝件和所述襯底之間；以及

底部填充材料，環(huán)繞所述第一封裝件的第一外圍區(qū)域并且位于所述第一外圍區(qū)域和所述襯底之間，所述第一封裝件的第一中心區(qū)域和所述襯底之間存在第一間隙，并且自頂向下看，所述第一間隙不包含所述底部填充材料，所述第一間隙內(nèi)也不包含位于所述封裝件的底面上以及位于所述襯底的頂面上的任何導(dǎo)電部件，所述第一間隙與所述底部填充材料鄰接，

其中，所述第一中心區(qū)域是所述第一封裝件中除去所述第一外圍區(qū)域且不包含所述底部填充材料的區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一間隙是氣隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述底部填充材料密封所述第一間隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述底部填充材料至少環(huán)繞所述第一封裝件的第一外圍區(qū)域上的外部的所述第一外部電連接件。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述底部填充材料填充所述第一封裝件和所述襯底之間的大于或等于10％且不超過70％的體積。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述底部填充材料填充所述第一封裝件和所述襯底之間的大于或等于20％且不超過50％的體積。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述底部填充材料填充所述第一封裝件和所述襯底之間的大于或等于20％且不超過40％的體積。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一封裝件包括：

密封劑，至少橫向地密封所述第一管芯；以及

重分布結(jié)構(gòu)，位于所述第一管芯的有源側(cè)和所述密封劑上，所述重分布結(jié)構(gòu)包括介電層和位于所述介電層上的導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案將所述第一管芯電連接至所述外部電連接件。

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

封裝件，包括：

管芯，具有有源側(cè)，

密封劑，至少橫向地密封所述管芯，和

重分布結(jié)構(gòu)，位于所述管芯的有源側(cè)和所述密封劑上，

襯底；

外部電連接件，設(shè)置在所述封裝件和所述襯底之間，所述外部電連接件將所述襯底機(jī)械連接并電連接至所述封裝件，所述電連接件通過所述重分布結(jié)構(gòu)電連接至所述管芯的有源側(cè)；以及

底部填充材料，環(huán)繞所述封裝件的外邊緣并且設(shè)置在所述封裝件的外邊緣和所述襯底之間，所述封裝件的中心區(qū)域和所述襯底之間存在氣隙，所述底部填充材料圍繞且鄰接所述氣隙，其中，自頂向下看，所述氣隙內(nèi)不含有位于所述封裝件的底面上以及位于所述襯底的頂面上的任何導(dǎo)電部件，

其中，所述中心區(qū)域是所述封裝件中除去所述外邊緣且不包含所述底部填充材料的區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述底部填充材料至少環(huán)繞外部的所述外部電連接件。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述底部填充材料連續(xù)地圍繞所述氣隙。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述底部填充材料填充所述封裝件和所述襯底之間的間隔的10％至70％。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述底部填充材料填充所述封裝件和所述襯底之間的間隔的20％至50％。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述底部填充材料填充所述封裝件和所述襯底之間的間隔的20％至40％。