[發(fā)明專利]圖形化襯底用掩膜版、圖形化襯底及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410058087.8
• 申請(qǐng)日: 2014-02-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103792784A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃小輝;鄭遠(yuǎn)志;周德保;滕龍;霍麗艷;楊東;陳向東;康建;梁旭東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 圓融光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F1/00
• 分類(lèi)號(hào): G03F1/00;H01L33/22
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 黃健

1.一種圖形化襯底用掩膜版，其特征在于，包括光刻板，所述光刻板上包括單元陣列和網(wǎng)格，所述單元陣列包括若干個(gè)呈掩膜圖形的單元，所述網(wǎng)格由條狀邊線交叉連接形成，并包括若干個(gè)由所述條狀邊線圍成的網(wǎng)格單元，每一個(gè)所述網(wǎng)格單元的內(nèi)部設(shè)有所述單元陣列中的一個(gè)單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形化襯底用掩膜版，其特征在于，所述掩膜圖形為圓形，所述網(wǎng)格單元呈等邊三角形，所述單元位于所述網(wǎng)格單元的中央位置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖形化襯底用掩膜版，其特征在于，所述條狀邊線的寬度為0.1-5um，所述圓形的直徑為0.1-5um，所述等邊三角形的邊長(zhǎng)為0.1-10um。

4.一種圖形化襯底，其特征在于，包括襯底，所述襯底上包括襯底單元陣列和襯底網(wǎng)格，所述襯底單元陣列包括若干個(gè)呈襯底圖形的襯底單元，所述襯底網(wǎng)格由脊?fàn)钸吘€交叉連接形成，并包括若干個(gè)由所述脊?fàn)钸吘€圍成的襯底網(wǎng)格單元，每一個(gè)所述襯底網(wǎng)格單元的內(nèi)部設(shè)有所述襯底單元陣列中的一個(gè)襯底單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖形化襯底，其特征在于，所述襯底圖形為圓錐體、圓臺(tái)體或頂部為弧線的圓臺(tái)體，所述襯底圖形的底部直徑為0.1-5um，高度為0.1-5um，相鄰襯底圖形底部之間的間距為0.1-5um；所述脊?fàn)钸吘€橫斷面的形狀呈上窄下寬狀，所述脊?fàn)钸吘€的底部寬度為0.1-5um，高度為0.1-5um，所述襯底網(wǎng)格單元呈等邊三角形，所述等邊三角形的邊長(zhǎng)為0.1-10um，所述襯底單元位于所述襯底網(wǎng)格單元的中央位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的圖形化襯底，其特征在于，所述圖形化襯底是利用權(quán)利要求1-3任一所述的圖形化襯底用掩膜版對(duì)襯底進(jìn)行光刻和刻蝕而制得。

7.一種圖形化襯底的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

在襯底上涂覆光刻膠；

利用權(quán)利要求1至3任一所述的圖形化襯底用掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，在所述光刻膠上形成光刻膠圖形；

對(duì)形成所述光刻膠圖形的襯底進(jìn)行干法刻蝕，在襯底上形成襯底圖形后，去除光刻膠，制得圖形化襯底。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕的刻蝕氣體采用Cl₂和BCl₃，所述Cl₂與BCl₃的流量比為1∶2-8，所述干法刻蝕的RF功率為1500-2500W，ICP功率為700-1700W。

9.一種圖形化襯底的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

在襯底上形成阻擋層；

在所述阻擋層上涂覆光刻膠；

利用權(quán)利要求1至3任一所述的圖形化襯底用掩膜版對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，在所述光刻膠上形成光刻膠圖形；

對(duì)形成所述光刻膠圖形的襯底進(jìn)行第一次濕法刻蝕，在所述阻擋層上形成阻擋層圖形；

去除光刻膠，對(duì)形成所述阻擋層圖形的襯底進(jìn)行第二次濕法刻蝕，在襯底上形成襯底圖形后，去除阻擋層，制得圖形化襯底。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第二次濕法刻蝕采用的刻蝕液為磷酸和硫酸的混合溶液，所述磷酸的質(zhì)量百分比濃度為80-85%，所述硫酸的質(zhì)量百分比濃度為95-98%，所述混合溶液中磷酸與硫酸的體積比為1：1-2，所述第二次濕法刻蝕的溫度為250-300℃。