[發明專利]存儲裝置、存儲裝置控制方法和電子設備有效
| 申請號: | 201410058036.5 | 申請日: | 2014-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN104866438B | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發明(設計)人: | 陸見微;李洪偉;孫清濤 | 申請(專利權)人: | 聯想(北京)有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/16 | 分類號: | G06F12/16;G06F3/06 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 安之斐 |
| 地址: | 100085*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲 裝置 控制 方法 電子設備 | ||
本發明提供了一種存儲裝置、存儲裝置控制方法和電子設備。所述存儲裝置包括:第一存儲單元;非易失性的第二存儲單元,所述第二存儲單元的數據存取速度高于所述第一存儲單元的數據存取速度;其中,所述第二存儲單元用于存儲所述存儲裝置的元數據,并且用作所述存儲裝置的數據緩存區。
技術領域
本發明涉及存儲裝置的領域,更具體地,本發明涉及一種存儲裝置、控制該存儲裝置的存儲裝置控制方法以及使用該存儲裝置的電子設備。
背景技術
目前,在傳統的硬盤或新型的固態硬盤(SSD)中,通常配置有諸如SDRAM或DRAM的易失性存儲單元作為硬盤的工作內存區域,并且同時也可以用作硬盤數據的高速緩沖區域,從而能夠彌補硬盤相對于系統內存的慢速度。
然而,硬盤作為數據的存儲設備,其數據正確、安全、穩定、一致非常重要。當系統出現異常斷電時,由于作為硬盤數據的高速緩沖區域的SDRAM或DRAM的易失性,其中存儲的數據以及元數據沒有及時得到保存,從而出現數據丟失。為了解決該數據丟失問題,已經提出了相關的解決方案。在現有技術的一個解決方案中,提供超級電容,并且通過電容的電量來支持將易失性高速緩沖區域中的數據保存到磁盤。然而,超級電容尺寸大,對于追求便攜性的存儲裝置并不適用;此外,隨著存儲裝置的高速緩沖區域的增大,電容也需要相應增大,從而成本增加。在現有技術的另一個解決方案中,通過軟件機制來保證數據一致性,諸如使用日志型文件系統。然而,該方案增加了軟件的復雜性,同時不能完全保證數據的安全。
因此,希望提供一種存儲裝置和存儲裝置控制方法,其能夠在存儲裝置內部提供快速的工作區以及數據緩存區,從而提高存儲裝置的整體存取速度和性能,并且能夠避免由于異常斷電造成的數據丟失。
發明內容
根據本發明實施例,提供了一種存儲裝置,包括:第一存儲單元;非易失性的第二存儲單元,所述第二存儲單元的數據存取速度高于所述第一存儲單元的數據存取速度;其中,所述第二存儲單元用于存儲所述存儲裝置的元數據,并且用作所述存儲裝置的數據緩存區。
此外,根據本發明實施例的存儲裝置,其中所述第二存儲單元還用作所述存儲裝置所屬的電子設備的操作系統以及應用的工作區。
此外,根據本發明實施例的存儲裝置,還包括:易失性的第三存儲單元,其中所述第三存儲單元用作所述存儲裝置所屬的電子設備的操作系統以及應用的工作區。
此外,根據本發明實施例的存儲裝置,還包括:控制單元,控制周期性地將所述第二存儲單元中存儲的元數據以及緩存數據刷新到所述第一存儲單元中。
此外,根據本發明實施例的存儲裝置,其中所述控制單元進一步控制在所述存儲裝置斷電之后又重新上電時,將所述第二存儲單元中存儲的元數據以及緩存數據刷新到所述第一存儲單元中。
此外,根據本發明實施例的存儲裝置,其中當啟動、重啟或喚醒所述存儲裝置所屬的電子設備的操作系統時,所述操作系統調用所述第二存儲單元中存儲的元數據、緩存數據以及操作系統以及應用的狀態數據。
根據本發明另一實施例,提供了一種存儲裝置控制方法,用于包括第一存儲單元和非易失性的第二存儲單元的存儲裝置,其中所述第二存儲單元的數據存取速度高于所述第一存儲單元的數據存取速度,所述存儲裝置控制方法包括:將所述存儲裝置的元數據存儲到所述第二存儲單元中;以及設置所述第二存儲單元作為所述存儲裝置的數據緩存區。
此外,根據本發明另一實施例的存儲裝置控制方法,還包括:在設置所述第二存儲單元作為所述存儲裝置的數據緩存區之后,設置所述第二存儲單元用作所述存儲裝置所屬的電子設備的操作系統以及應用的工作區。
此外,根據本發明另一實施例的存儲裝置控制方法,其中所述存儲裝置還包括易失性的第三存儲單元,所述存儲裝置控制方法還包括:在設置所述第二存儲單元作為所述存儲裝置的數據緩存區之后,設置所述第三存儲單元用作所述存儲裝置所屬的電子設備的操作系統以及應用的工作區。
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