[發(fā)明專利]等離子增強化學氣相沉積裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410057811.5 | 申請日: | 2014-02-20 |
| 公開(公告)號: | CN103789750A | 公開(公告)日: | 2014-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭建毅;楊群峰;莊明鳳;鄭高峰;馬少宇 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門大學 |
| 主分類號: | C23C16/513 | 分類號: | C23C16/513 |
| 代理公司: | 廈門南強之路專利事務(wù)所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 馬應(yīng)森 |
| 地址: | 361005 *** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子 增強 化學 沉積 裝置 | ||
1.等離子增強化學氣相沉積裝置,其特征在于設(shè)有沉積薄膜的PECVD裝置和為沉積薄膜提供超高頻振動能量的超高頻激振裝置;
所述沉積薄膜的PECVD裝置設(shè)有氣體輸送控制裝置、射頻電源、上蓋、噴射支持部、氣體分配板、夾具、收集板、加熱器、控制閥、機械泵、分子泵、排氣管路、測溫傳感器、密封圈、激振梁、反應(yīng)室、測壓傳感器、進氣管路、壓力控制器和溫度控制器;所述氣體輸送控制裝置設(shè)有氣體存儲室、安裝開關(guān)、流量閥、氣體混合室、開關(guān)、流量閥和氣體輸出管路;所述氣體輸送控制裝置安裝于上蓋外部,氣體輸送控制裝置氣體輸出管路與PECVD裝置的進氣管路相連接,射頻電源置于上蓋外部,射頻電源的射頻端部連接于噴射支持部,氣體分配板、噴射支持部置于上蓋內(nèi)部,進氣管路與噴射支持部的進氣孔連接,氣體分配板與噴射支持部通過螺栓連接,收集板、激振梁置于上蓋內(nèi)部,收集板置于激振梁上表面,由夾具夾持力使收集板緊貼于激振梁表面,夾具通過螺栓與激振梁連接,進氣管路與上蓋、排氣管路與加熱器和上蓋、激振梁與上蓋分別用橡膠密封圈連接,激振梁接地,測溫傳感器貼附于加熱器表面,測溫傳感器數(shù)據(jù)輸出端連接于溫度控制器,溫度控制器的控制數(shù)據(jù)輸出端與加熱器連接,加熱器安裝于上蓋下部,測壓傳感器貼附于上蓋的內(nèi)壁,測壓傳感器的數(shù)據(jù)輸出端連接于壓力控制器,壓力控制器數(shù)據(jù)輸出端連接于機械泵、分子泵,壓力控制器、溫度控制器安裝于上蓋外部,機械泵、分子泵安裝于上蓋外部并與氣體輸出管路連接,氣體輸送控制裝置各氣體存儲室和氣體混合室之間安裝開關(guān)和流量閥,在氣體混合室和輸出管路之間安裝開關(guān)和流量閥,輸出管路和進氣管路連接;超高頻激振裝置安裝于激振梁的端部,輸出桿與連接環(huán)焊接在一起,連接環(huán)與激振梁螺栓連接。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





