[發明專利]雙軸張應變GeSn n溝道隧穿場效應晶體管有效
| 申請號： | 201410057748.5 | 申請日： | 2014-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN103824880A | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發明（設計）人： | 劉艷;韓根全;王洪娟 | 申請（專利權）人： | 重慶大學 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/161 |
| 代理公司： | 重慶華科專利事務所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400030 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙軸張 應變 gesn 溝道 場效應 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種帶有雙軸張應變的GeSn?n溝道隧穿場效應晶體管，其特征在于，具有一GeSn?n溝道、一襯底、一源極、一漏極、一絕緣介質薄膜、一柵電極；
????所述源極是通過外延生長或是鍵合的方式生長在襯底上，其材料為弛豫的單晶半導體材料GeSn，源極、n溝道、漏極形成豎直的器件結構；
所述絕緣介電質薄膜環繞生長在GeSn?n溝道上；
所述柵電極覆蓋在絕緣介電質薄膜上；
所述源極材料的晶格常數比?n溝道GeSn晶格常數大；形成沿溝道方向的單軸壓應變，沿垂直溝道的平面內的雙軸張應變。
2.如權利要求1所述的帶有雙軸張應變的GeSn?n溝道隧穿場效應晶體管，其特征在于，所述?n溝道GeSn材料的通式為Ge1-xSnx，其中0≤x≤0.25。
3.如權利要求2所述的帶有雙軸張應變的GeSn?n溝道隧穿場效應晶體管，其特征在于，所述源極GeSn材料的通式為Ge1-ySny其中，0≤y≤0.25，y>x。
4.如權利要求3所述的帶有雙軸張應變的GeSn?n溝道隧穿場效應晶體管，其特征在于，所述襯底和漏極采用的是單晶Ge材料。
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