[發(fā)明專利]陣列基板及制備方法、顯示面板

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410057337.6
• 申請日: 2014-02-19
• 公開（公告）號: CN103811503A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔣學(xué)兵;林琳
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總體上涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板。

背景技術(shù)

薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，TFT）漏電路徑主要有液晶電容漏電和TFT漏電，前者是由像素電極漏電至公共電極，后者由像素電極漏電至數(shù)據(jù)線，因此后者的漏電會與數(shù)據(jù)線上的電壓有關(guān)。TFT器件本身的漏電流導(dǎo)電機制主要是溝道熱離子發(fā)射形成的空穴電流，傳統(tǒng)的非晶硅產(chǎn)品的漏電流會在光照的條件下劇增加。

銦鎵鋅氧化物（Indium?Gallium?Zinc?Oxide，IGZO）是新一代用于TFT有源層的材料，IGZO解決了傳統(tǒng)TFT的缺陷：晶體尺寸更小，可以使設(shè)備更輕薄，全透明，對可見光不敏感，能夠大大增加元件的開口率，提高亮度，降低功耗。此外，電子遷移率方面，其載流子遷移率是非晶硅的5～10倍，臨界電壓飄移幾乎一致，比傳統(tǒng)材料提升了20～50倍，因此開態(tài)電流特性良好，進步非常明顯，在面板的主要性能參數(shù)上，IGZO面板比傳統(tǒng)TFT面板有了全面的提升。

為了減少氧化物有源層的光接觸面積，減小光致漏電流，氧化物TFT一般采用遮光型結(jié)構(gòu)，如圖1、圖2所示，柵線102位于氧化物有源層104、源極106和漏極107的下方，這樣?xùn)啪€102遮擋住了源極106和漏極107的溝道內(nèi)形成的氧化物有源層104，從而能夠有效降低光照時電子空穴對產(chǎn)生的概率，因此漏電流（關(guān)態(tài)電流）受光照的影響較小。然而，這種遮光型結(jié)構(gòu)的氧化物TFT，源極106和漏極107直接與氧化物有源層104接觸，這樣會導(dǎo)致氧化物有源層104內(nèi)空穴流入源極106和漏極107，以及源極106和漏極107的電子流入有源層104中的幾率增大，從而加強“漏極→氧化物TFT有源層→源極”這一漏電路徑，不利于保持已存儲的電荷，導(dǎo)致面板畫質(zhì)下降。

發(fā)明內(nèi)容

（一）要解決的技術(shù)問題

針對上述缺陷，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何減小在TFT關(guān)斷時的漏電流。

（二）技術(shù)方案

為解決上述問題，一種陣列基板，包括：襯底基板，設(shè)置于所述襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線以及多個像素單元，每個所述像素單元包括第一氧化物薄膜晶體管和像素電極，其特征在于，每個所述像素單元還包括至少一個與第一氧化物薄膜晶體管串聯(lián)的第二氧化物薄膜晶體管，所述像素電極與所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極相連，所述第二氧化物薄膜晶體管的源極與所述第一氧化物薄膜晶體管的漏極相連，所述第一氧化物薄膜晶體管的源極與所述數(shù)據(jù)線相連。

進一步地，所述陣列基板具體包括：

設(shè)置在所述襯底基板上的所述柵線；

設(shè)置在所述柵線上的柵絕緣層和氧化物有源層；

設(shè)置在所述柵絕緣層和氧化物有源層上的刻蝕阻擋層；

設(shè)置在所述刻蝕阻擋層上方的所述第一氧化物薄膜晶體管的源極和漏極、第二氧化物薄膜晶體管的源極和漏極；

設(shè)置在所述源極和漏極上的鈍化層；

其中，所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極與所述像素單元中延伸至所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極的所述像素電極相連。

進一步地，所述陣列基板具體包括：

設(shè)置在所述襯底基板上的氧化物有源層；

設(shè)置在所述氧化物有源層上的刻蝕阻擋層；

設(shè)置在所述刻蝕阻擋層上方的所述第一氧化物薄膜晶體管的源極和漏極、第二氧化物薄膜晶體管的源極和漏極；

設(shè)置在所述源極和漏極上的柵絕緣層；

設(shè)置在所述柵絕緣層上的所述柵線；

設(shè)置在所述柵線上的鈍化層；

其中，所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極與所述像素單元中延伸至所述第二氧化物薄膜晶體管的漏極的所述像素電極相連。

進一步地，所述陣列基板上還設(shè)置有公共電極和公共電極線，所述公共電極與所述公共電極線相連。

進一步地，所述公共電極和所述像素電極異層設(shè)置，處于相對上層的所述像素電極或所述公共電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)；處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)或板狀結(jié)構(gòu)；或

所述公共電極和所述像素電極同層設(shè)置，所述像素電極和所述公共電極均具有狹縫狀結(jié)構(gòu)。

進一步地，所述氧化物有源層為銦鎵鋅氧化物。

為解決上述問題，本發(fā)明還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括上述的陣列基板。

為解決上述問題，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制備方法，該方法包括：