[發明專利]一種在硅襯底上生長的氮化鎵外延結構在審
| 申請號： | 201410057090.8 | 申請日： | 2014-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN104733511A | 公開（公告）日： | 2015-06-24 |
| 發明（設計）人： | 陳振 | 申請（專利權）人： | 江西省昌大光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 330096 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 襯底 生長 氮化 外延 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種在硅襯底上生長的氮化鎵外延結構，其特征在于：從下到上依次包括硅襯底層，氮化鋁成核層，漸變AlXGa1-XN緩沖層，周期性GaN/AlGaN超晶格插入層，氮化鎵層。
2.根據權利要求1所述一種在硅襯底上生長的氮化鎵外延結構，其特征在于：所述硅襯底為硅（111）襯底。
3.根據權利要求1所述一種在硅襯底上生長的氮化鎵外延結構，其特征在于：所述AlN成核層的生長溫度為1020-1060℃，厚度為95-350nm。
4.根據權利要求1所述一種在硅襯底上生長的氮化鎵外延結構，其特征在于：所述漸變AlXGa1-XN緩沖層中Al摩爾含量從下至上由0漸變到X，X為0.08-0.4。
5.根據權利要求1或4所述一種在硅襯底上生長的氮化鎵外延結構，其特征在于：所述緩沖層AlXGa1-XN的厚度為200-1000nm。
6.根據權利要求1所述一種在硅襯底上生長的氮化鎵外延結構，其特征在于：所述周期性GaN/AlGaN超晶格的生長溫度為1000-1300℃，生長周期為5-100，每周期生長GaN的厚度為1-20nm，AlGaN的厚度為1-20nm。
7.根據權利要求1所述一種在硅襯底上生長的氮化鎵外延結構，其特征在于：所述氮化鎵外延層的厚度為0.5-3μm。
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