[發(fā)明專利]Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導(dǎo)體及其制備工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410056692.1 | 申請日： | 2014-02-19 |
| 公開（公告）號： | CN103864026A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 崔教林;楊江鋒;王莉 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧波工程學(xué)院 |
| 主分類號： | C01B19/00 | 分類號： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 寧波奧凱專利事務(wù)所(普通合伙) 33227 | 代理人： | 白洪長 |
| 地址： | 315211 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | cu in zn te 熱電 半導(dǎo)體 及其 制備 工藝 | ||
1.一種Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導(dǎo)體，其特征在于所述Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導(dǎo)體是由CuInTe2中的部分Cu和In元素同時等摩爾量替換為Zn元素，所述Zn元素在所述Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導(dǎo)體中的摩爾分?jǐn)?shù)為0.01～0.05，所述Cu和In元素在所述Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導(dǎo)體中的摩爾分?jǐn)?shù)為0.225～0.25，所述Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導(dǎo)體的化學(xué)式為Cu1-xIn1-xZn2xTe2，其中0≤x≤0.1。
2.一種如權(quán)利要求1所述的Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導(dǎo)體的制備工藝，其特征是將所述Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導(dǎo)體的制備工藝分為如下五步進行：
第一步：熔煉合成，將組成Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導(dǎo)體的單質(zhì)元素Cu、In、Zn、Te置于真空石英管內(nèi)熔煉合成Cu1-xIn1-xZn2xTe2鑄錠，合成溫度為1000～1200℃，合成時間為20～28小時；
第二步：快速冷卻，將真空石英管內(nèi)熔煉合成的Cu1-xIn1-xZn2xTe2鑄錠在水中冷卻至600～700℃；
第三步：退火，將真空石英管內(nèi)的Cu1-xIn1-xZn2xTe2鑄錠在600～700℃保溫220～260小時，爾后緩慢冷卻至室溫；
第四步：燒結(jié)，將經(jīng)過退火后的Cu1-xIn1-xZn2xTe2鑄錠粉碎、球磨，球磨后的粉末經(jīng)放電等離子火花燒結(jié)制成塊體，燒結(jié)溫度為400～500℃，燒結(jié)壓力為40～60Mpa；
第五步：二次退火，將燒結(jié)后的Cu1-xIn1-xZn2xTe2塊體在600～700℃保溫22～26小時，爾后冷卻至室溫，制備得到所述Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導(dǎo)體的制備工藝，其特征是所述的Cu1-xIn1-xZn2xTe2在真空石英管內(nèi)熔煉的合成溫度為1100℃，合成時間為24小時，燒結(jié)溫度為450℃，燒結(jié)壓力為50MPa。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導(dǎo)體的制備工藝，其特征在于制備工藝是將Cu1-xIn1-xZn2xTe2熔煉后的鑄錠在真空石英管內(nèi)保溫240小時，保溫溫度650℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Cu-In-Zn-Te四元p-型熱電半導(dǎo)體的制備工藝，其特征在于制備工藝是將Cu1-xIn1-xZn2xTe2燒結(jié)后的塊體在真空石英管內(nèi)保溫24小時，保溫溫度650℃。
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