[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410055965.0 | 申請日： | 2014-02-19 |
| 公開（公告）號： | CN104078504B | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 岡徹 | 申請（專利權(quán)）人： | 豐田合成株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人： | 舒艷君,李洋 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
第一n型半導(dǎo)體層，其具有第一界面、和構(gòu)成從所述第一界面突出的凸部的上面的第二界面；
p型半導(dǎo)體層，其是層疊于所述第一n型半導(dǎo)體層的p型半導(dǎo)體層，該p型半導(dǎo)體層具有層疊于所述第一界面的第一部位、和層疊于所述第二界面的第二部位，所述第一部位和所述第二部位一致地連接；
第二n型半導(dǎo)體層，其層疊于所述p型半導(dǎo)體層；以及
槽部，其從所述第二n型半導(dǎo)體層貫通所述p型半導(dǎo)體層并下陷至所述第一n型半導(dǎo)體層中的所述凸部的內(nèi)側(cè)，
所述p型半導(dǎo)體層具有第一隆起部，該第一隆起部朝向所述凸部突出的突出方向沿所述凸部隆起，
所述第二n型半導(dǎo)體層具有第二隆起部，該第二隆起部朝向所述突出方向沿所述第一隆起部隆起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
還具備隔著絕緣膜形成于所述槽部的電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述凸部從所述第一界面突出的高度Hm比所述第一部位中的所述p型半導(dǎo)體層的厚度Tp和所述第一部位中的所述第二n型半導(dǎo)體層的厚度Tn相加而得的厚度Tu小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述槽部相對于所述凸部的所述上面下陷的深度h1是0μm以上，且是所述凸部從所述第一界面突出的高度Hm加上0.4μm后的深度以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述凸部突出的沿X軸方向的、從所述第一界面至所述槽部的底面的高度h2在從所述第一界面朝向所述第二界面的+X軸方向側(cè)是1.0μm以下，且在從所述第二界面朝向所述第一界面的－X軸方向側(cè)是0.4μm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述凸部的側(cè)端和所述槽部的底面之間的距離w1滿足0.1μm≤w1≤2.0μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述凸部的側(cè)端和所述槽部的底面之間的距離w1滿足0.2μm≤w1≤1.0μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
還具備層疊于所述第一n型半導(dǎo)體層和所述p型半導(dǎo)體層之間的第三n型半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
還具備層疊于所述第一n型半導(dǎo)體層和所述p型半導(dǎo)體層之間的本征半導(dǎo)體層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述第一部位的受主濃度與所述第二部位的受主濃度相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述第一n型半導(dǎo)體層、所述p型半導(dǎo)體層、以及所述第二n型半導(dǎo)體層是主要由氮化鎵構(gòu)成的半導(dǎo)體層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述槽部是多個(gè)，
所述凸部至少在比所述多個(gè)槽部中位于所述半導(dǎo)體裝置的終端側(cè)的槽部靠近所述終端側(cè)，從所述第一界面突出。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備：
臺階部，其形成在所述半導(dǎo)體裝置的比所述槽部靠近終端側(cè)，從所述第二n型半導(dǎo)體層經(jīng)由所述p型半導(dǎo)體層至所述第一n型半導(dǎo)體層；
絕緣膜，其具有電絕緣性，并覆蓋所述臺階部；
電極，其具有導(dǎo)電性，并層疊于所述絕緣膜，且在與所述臺階部之間夾有所述絕緣膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備：
源極電極，其形成于從所述第二n型半導(dǎo)體層至所述p型半導(dǎo)體層的凹部；
柵極電極，其隔著絕緣膜形成于所述槽部，
在沿層疊有所述第一n型半導(dǎo)體層、所述p型半導(dǎo)體層以及所述第二n型半導(dǎo)體層的層疊方向的剖面中，交替地配置所述源極電極的一部分和所述柵極電極的一部分。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
