[發明專利]用于等離子體蝕刻室中的離子銑削的系統、方法和設備

有效

• 申請號: 201410055842.7
• 申請日: 2014-02-19
• 公開（公告）號: CN103996594B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 喬迪普·古哈;神內佛霖;韓俊熙;亞倫·埃普勒
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/305
• 分類號: H01J37/305;H01J37/20
• 代理公司: 上海勝康律師事務所31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種等離子體蝕刻系統，其包括：

等離子體蝕刻室，其包含：

襯底支持件，所述襯底支持件是非樞轉且非旋轉的襯底支持件，所述襯底支持件能夠將待處理的襯底支持在所述襯底支持件的頂面上，而不使用機械夾持器件；以及

上電極，其被設置成與所述襯底支持件的所述頂面相對；

多個處理氣體源，其耦接至所述等離子體蝕刻室；

射頻偏置源，其耦接至所述襯底支持件；以及

控制器，其耦接至所述等離子體蝕刻室、所述多個處理氣體源和所述射頻偏置源，所述控制器包含存儲在計算機可讀介質上的用于執行所述等離子體蝕刻室中的離子銑削處理的邏輯。

2.如權利要求1所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述多個處理氣體源包含混合器，且進一步由氦源、氖源、氬源、氙源和氪源中的至少2個構成。

3.如權利要求1所述的等離子體蝕刻系統，其中，存儲在計算機可讀介質上的用于執行所述等離子體蝕刻室中的離子銑削處理的所述邏輯包含：

存儲在計算機可讀介質上的用于向所述等離子體蝕刻室注入多個離子銑削處理氣體的所選擇的組合的邏輯；

存儲在計算機可讀介質上的用于產生具有選擇的離子角分布的離子銑削等離子體的邏輯；以及

存儲在計算機可讀介質上的用于使在所述襯底中形成的特征的至少一個側壁上的多個沉積物中的至少一個揮發的邏輯。

4.如權利要求3所述的等離子體蝕刻系統，其中，存儲在計算機可讀介質上的用于向所述等離子體蝕刻室注入所述多個離子銑削處理氣體的所選擇的組合的所述邏輯包含：存儲在計算機可讀介質上的用于確定在所述襯底中形成的所述特征的所述至少一個側壁上的所述多個沉積物中的至少一個的位置的邏輯。

5.如權利要求3所述的等離子體蝕刻系統，其中，存儲在計算機可讀介質上的用于向所述等離子體蝕刻室注入所述多個離子銑削處理氣體的所選擇的組合的所述邏輯包含：存儲在計算機可讀介質上的用于選擇離子銑削操作壓強的邏輯。

6.如權利要求5所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述離子銑削操作壓強在約60毫托與約300毫托之間。

7.如權利要求4所述的等離子體蝕刻系統，其中，存儲在計算機可讀介質上的用于向所述等離子體蝕刻室注入所述多個離子銑削處理氣體的所選擇的組合的所述邏輯包含：存儲在所述計算機可讀介質上的用于選擇所述多個離子銑削處理氣體的質量的比率的邏輯。

8.如權利要求3所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述離子角分布包含介于相對于所述襯底的表面的垂線的約0度至相對于所述襯底的所述表面的垂線的約50度之間的范圍。

9.如權利要求1所述的等離子體蝕刻系統，其中，所述射頻偏置源具有介于約200kHz與約2MHz之間的輸出頻率。

10.一種離子銑削的方法，其包括：

將襯底置于等離子體蝕刻室；

向所述襯底實施等離子體蝕刻處理；

結束所述等離子體蝕刻處理；

向所述等離子體蝕刻室注入多個離子銑削處理氣體的所選擇的組合；

產生具有所選擇的離子角分布的離子銑削等離子體；以及

使在所述襯底中形成的特征的至少一個側壁上的多個沉積物中的至少一個揮發。

11.如權利要求10所述的方法，其中，向所述等離子體蝕刻室注入所述多個離子銑削處理氣體的所選擇的組合包含：確定在所述襯底中形成的所述特征的所述至少一個側壁上的所述多個沉積物中的至少一個的位置。

12.如權利要求11所述的方法，其中，向所述等離子體蝕刻室注入所述多個離子銑削處理氣體的所選擇的組合包含：選擇離子銑削操作壓強。

13.如權利要求12所述的方法，其中，所述離子銑削操作壓強在約60毫托與約300毫托之間。

14.如權利要求11所述的方法，其中，向所述等離子體蝕刻室注入所述多個離子銑削處理氣體的所選擇的組合包含：選擇所述多個離子銑削處理氣體的質量的比率。

15.如權利要求10所述的方法，其中，所述離子角分布包含介于相對于所述襯底的表面的垂線的約0度至相對于所述襯底的表面的垂線的約50度之間的范圍。