[發明專利]絕緣柵型場效應晶體管及該晶體管的制造方法

無效

• 申請號: 201410055773.X
• 申請日: 2014-02-19
• 公開（公告）號: CN104009011A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 丹野聰;脅田恭之
• 申請（專利權）人: 株式會社捷太格特
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李洋;蘇琳琳

1.一種絕緣柵型場效應晶體管，其特征在于，具有：

半導體襯底，其具有漏極區域、源極區域、溝道區域以及將所述溝道區域分割成所述漏極區域側的第1溝道區域及所述源極區域側的第2溝道區域的絕緣槽；

柵極電極，其具有在所述半導體襯底形成所述第1溝道區域的第1柵極電極部、及在所述半導體襯底形成所述第2溝道區域的第2柵極電極部；

柵極絕緣膜，其位于所述半導體襯底和所述柵極電極之間，將所述漏極區域及所述源極區域與所述柵極電極絕緣；以及

導電部件，其由作為所述絕緣槽的所述漏極區域側的端面的漏極側端面和作為所述絕緣槽的所述源極區域側的端面的源極側端面支承，且當達到規定溫度以上時被切斷。

2.根據權利要求1所述的絕緣柵型場效應晶體管，其特征在于，

所述第1柵極電極部向所述源極區域側形成至所述漏極側端面的位置，

所述第2柵極電極部向所述漏極區域側形成至所述源極側端面的位置。

3.根據權利要求1所述的絕緣柵型場效應晶體管，其特征在于，

所述導電部件由作為所述漏極側端面的所述柵極絕緣膜側的開口部和作為所述源極側端面的所述柵極絕緣膜側的開口部支承。

4.根據權利要求2所述的絕緣柵型場效應晶體管，其特征在于，

所述導電部件由作為所述漏極側端面的所述柵極絕緣膜側的開口部和作為所述源極側端面的所述柵極絕緣膜側的開口部支承。

5.根據權利要求1至4中任意一項所述的絕緣柵型場效應晶體管，其特征在于，

還具有樹脂部，

所述柵極絕緣膜具有膜分割部，

所述膜分割部以所述導電部件為底面，并形成為對所述柵極絕緣膜的所述第1柵極電極部側的部分和所述第2柵極電極部側的部分進行分割的槽，

所述樹脂部由所述膜分割部的所述源極區域側的端面及所述膜分割部的所述漏極區域側的端面支承，并當所述導電部件達到所述規定溫度以上時熔融，

所述導電部件被熔融的所述樹脂部切斷。

6.根據權利要求5所述的絕緣柵型場效應晶體管，其特征在于，

對于所述導電部件而言，所述漏極側端面側的端部與所述源極側端面側的端部之間的中間部的厚度比所述漏極側端面側的端部及所述源極側端面側的端部的厚度小。

7.一種絕緣柵型場效應晶體管的制造方法，其特征在于，其是權利要求1至4中任意一項所述的絕緣柵型場效應晶體管的制造方法，具備：

在所述半導體襯底的襯底材料形成凹部的工序；

在所述凹部的內部直至比所述凹部的開口部更低的位置形成定位部的工序；

在所述定位部的表面形成所述導電部件的工序；

在所述襯底材料形成所述漏極區域及所述源極區域的工序；

在所述漏極區域、所述源極區域以及所述導電部件的表面形成所述柵極絕緣膜，而形成所述半導體襯底的工序；以及

從所述半導體襯底除去所述定位部的工序。