[發明專利]具有驅動器的數據單元及其制造方法和操作方法有效
| 申請號: | 201410055662.9 | 申請日: | 2009-03-05 |
| 公開(公告)號: | CN103762216B | 公開(公告)日: | 2018-07-06 |
| 發明(設計)人: | 沃納·云林 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H01L27/105 | 分類號: | H01L27/105;H01L27/108;H01L21/8232 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 宋獻濤 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體鰭狀物 驅動器 數據單元 電連接 制造 鄰近 延伸 | ||
本發明涉及具有驅動器的數據單元及其制造方法和操作方法。本發明揭示方法及裝置,其中裝置包括:第一半導體鰭狀物,其具有第一柵極;第二半導體鰭狀物,其鄰近于所述第一半導體鰭狀物且具有第二柵極;以及第三柵極,其在所述第一半導體鰭狀物與所述第二半導體鰭狀物之間延伸。在一些實施例中,所述第三柵極可不電連接到所述第一柵極或所述第二柵極。
本案是分案申請。該分案的母案是申請日為2009年3月5日、申請號為200980112123.1、發明名稱為“具有驅動器的數據單元及其制造方法和操作方法”的發明專利申請案。
技術領域
本發明的實施例大體來說涉及電子裝置,且更具體來說,在某些實施例中,涉及具有具驅動器的數據單元的電子裝置。
背景技術
許多類型的電子裝置具有多個數據單元。通常,所述數據單元各自包括一數據元件(例如,存儲器元件、成像元件,或經配置以輸出數據的其它裝置(例如,各類傳感器))及(在一些例子中)一存取裝置(例如,晶體管或二極管)。大體上,存取裝置控制對數據元件的存取,且數據元件輸出指示所存儲或所感測的數據的信號。
在一些電子裝置中,來自所述數據元件的信號過弱而不能被可靠地感測到。通常,將所述數據元件制造成相對小以增加電子裝置的功能性且降低其成本。但是,此實踐的一個結果是一些數據元件輸出相對弱(例如,低強度)的信號。結果,可難以使用所述信號來實現有用的目的,例如指示由數據元件存儲或感測的數字值(例如,0、1、00、01等)或模擬值。
附圖說明
圖1到圖29說明用于根據本技術的一實施例形成存取裝置及驅動器的過程中的步驟;
圖30說明可以圖1到圖29所說明的存取裝置及驅動器形成的單一數據單元的電路示意圖;
圖31到圖38說明用于形成連接到圖1到圖30的存取裝置及驅動器的數據元件的過程;
圖39及圖40說明根據本技術的實施例的數據單元陣列的兩個實施例;
圖41到圖57說明用于根據本技術的一實施例形成存取裝置及驅動器的過程的第二實施例中的步驟;以及
圖58到圖63說明以通過圖41到圖57的過程產生的存取裝置及驅動器形成的數據單元。
具體實施方式
圖1說明用于形成存取裝置及驅動器的過程中的第一步驟。所述過程可開始于提供襯底110。襯底110可包括半導體材料(例如,單晶或多晶硅、砷化鎵、磷化銦)或具有半導體性質的其它材料。另外或其它,襯底110可包括上面可構造有電子裝置的非半導體主體,例如,例如塑料或陶瓷加工面等主體。術語“襯底”包含各個制造階段中的這些結構,包括未經處理的完整晶片、部分處理的完整晶片、完全處理的完整晶片、經切割晶片的一部分,或在經封裝的電子裝置中經切割晶片的一部分。
襯底110可包括上部摻雜區112及下部摻雜區114。上部摻雜區112的深度在襯底110的實質區域上可為大體上均勻的,且上部摻雜區112可與下部摻雜區114不同地摻雜。舉例來說,上部摻雜區112可包括n+材料,且下部摻雜區114可包括p-材料,或反之亦然。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于美光科技公司,未經美光科技公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410055662.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:內置防盜裝置的儲油罐
- 下一篇:一種基于阻尼減震機構的懸浮干式變壓系統
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





