[發明專利]金屬層致能定向自組裝半導體布局設計

有效

• 申請號: 201410055608.4
• 申請日: 2014-02-19
• 公開（公告）號: CN104051452B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: J·徐;V·戴
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;G06F17/50
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種用于形成半導體裝置的方法，包括：

通過定向自組裝(DSA)形成預圖案晶體管布局；

在該定向自組裝預圖案晶體管布局上方形成金屬層，包括：

形成多個水平金屬線；及

形成多個垂直金屬段，其與相鄰的水平金屬線不連續且于該相鄰的水平金屬線之間，且該多個垂直金屬段與該相鄰的水平金屬線不重疊；

形成一或多個橋接點，每一橋接點連接該多個水平金屬線的一個至該多個垂直金屬段的一個；以及

透過使用圓柱及/或球體形成團聯共聚物的定向自組裝石墨磊晶，在該金屬層之上形成所述橋接點，

其中，所述橋接點的位置決定所產生的晶體管胞元的邏輯功能。

2.根據權利要求1所述的方法，包括：

該多個水平金屬線是將該晶體管布局分成p型場效晶體管(p-FET)區域、n型場效晶體管(n-FET)區域、以及輸入/輸出區域。

3.根據權利要求1所述的方法，更包括：

將該多個水平金屬線分成至少四個水平金屬線的群組，每一群組包括電源線與接地線、以及其間的晶胞內繞線與輸出金屬線。

4.根據權利要求3所述的方法，包括：

在該晶體管布局中的p型場效晶體管/n型場效晶體管區域的相對側上形成該電源線與該輸出金屬線；以及

在該晶體管布局中的n型場效晶體管/p型場效晶體管區域的相對側上形成該接地線與該晶胞內繞線。

5.根據權利要求1所述的方法，包括：

形成該多個垂直金屬段的第一行，其對準該晶體管布局內的柵極；以及

形成該多個垂直金屬段的第二行在該第一行的相對側上且與該第一行相鄰，該第二行的所述垂直金屬段在該晶體管布局內并未對準所述柵極。

6.根據權利要求1所述的方法，包括：

透過使用晶板形成團聯共聚物的定向自組裝化學磊晶，形成該多個水平金屬線與該多個垂直金屬段。

7.根據權利要求1所述的方法，包括：

通過超高分辨率微影技術在該金屬層內形成孔，所述孔對應于所述橋接點的所述位置；以及

使用金屬填充所述孔，以在該金屬層內形成所述橋接點。

8.一種半導體裝置，包括：

預圖案晶體管布局，其以定向自組裝(DSA)形成；

金屬層，其在該定向自組裝預圖案晶體管布局上方，包括：

多個水平金屬線；及

多個垂直金屬段，其與相鄰的水平金屬線不連續且于該相鄰的水平金屬線之間，且該多個垂直金屬段與該相鄰的水平金屬線不重疊；以及

一或多個橋接點，每一個連接該多個水平金屬線的一個至該多個垂直金屬段的一個；

其中，所述橋接點的位置決定所產生的晶體管胞元的邏輯功能。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，包括：

該多個水平金屬線，其將該晶體管布局分成p型場效晶體管(p-FET)區域、n型場效晶體管(n-FET)區域、以及輸入/輸出區域。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置，更包括：

該多個水平金屬線，其被分成至少四個水平金屬線的群組，每一群組包括電源線與接地線、以及其間的晶胞內繞線及輸出金屬線。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，包括：

該電源線與該輸出金屬線，是在該晶體管布局中p型場效晶體管/n型場效晶體管區域的相對側上；以及

該接地線與該晶胞內繞線，是在該晶體管布局中n型場效晶體管/p型場效晶體管區域的相對側上。

12.根據權利要求8所述的半導體裝置，包括：

該多個垂直金屬段的第一行，其對準在該晶體管布局內的柵極；以及

該多個垂直金屬段的第二行，其在該第一行的相對側上且與該第一行相鄰，所述第二行的所述垂直金屬段在該晶體管布局內并未對準所述柵極。

13.根據權利要求8所述的半導體裝置，包括：

該多個水平金屬線與該多個垂直金屬段，是透過使用晶板形成團聯共聚物的定向自組裝化學磊晶而形成。