[發明專利]半導體器件的針孔類缺陷檢測方法

有效

• 申請號: 201410055552.2
• 申請日: 2014-02-19
• 公開（公告）號: CN104851820B
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 陳金園;曹文康;黎智;譚志輝
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01N21/88
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙)11343
• 代理人: 尚志峰,汪海屏

1.一種半導體器件的針孔類缺陷檢測方法，其特征在于，包括：

在形成有氧化層的襯底表面生長金屬層，所述金屬層位于所述氧化層的上方；

在所述金屬層的表面涂覆光刻膠，以形成對所述金屬層中無針孔類缺陷的區域的保護層；

依次對涂覆有所述光刻膠的襯底進行金屬層蝕刻和氧化層蝕刻；

去除所述襯底表面的光刻膠；

刻蝕掉所述金屬層；

檢測所述氧化層是否存在缺陷，以確定半導體器件是否存在針孔類缺陷。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的針孔類缺陷檢測方法，其特征在于，所述在形成有氧化層的襯底表面生長金屬層的步驟具體為：

在形成有所述氧化層的襯底表面生長第一層金屬層；

在所述第一層金屬層的表面生長第二層金屬層。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的針孔類缺陷檢測方法，其特征在于，所述對涂覆有所述光刻膠的襯底進行金屬層蝕刻的步驟具體為：

依次對涂覆有所述光刻膠的襯底進行所述第二層金屬層的蝕刻和所述第一層金屬層的蝕刻。

4.根據權利要求2所述的半導體器件的針孔類缺陷檢測方法，其特征在于，所述第一層金屬層為鈦層，所述第二層金屬層為鋁層。

5.根據權利要求2所述的半導體器件的針孔類缺陷檢測方法，其特征在于，所述第一層金屬層的厚度為4500埃至5500埃，所述第二層金屬層的厚度為23000埃至33000埃。

6.根據權利要求1所述的半導體器件的針孔類缺陷檢測方法，其特征在于，在所述金屬層的表面涂覆光刻膠之后，以及在形成對所述金屬層中無缺陷區域的保護層之前，還包括：

對所述金屬層表面的光刻膠進行顯影處理；

對經過顯影處理的光刻膠進行固化處理。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的針孔類缺陷檢測方法，其特征在于，在所述去除所述襯底表面的光刻膠之后，以及刻蝕掉所述金屬層之前，還包括：

對去除所述光刻膠之后的襯底表面進行清洗。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的針孔類缺陷檢測方法，其特征在于，所述氧化層的厚度為900埃至1100埃。

9.根據權利要求1所述的半導體器件的針孔類缺陷檢測方法，其特征在于，所述光刻膠的厚度為28000埃至38000埃。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的半導體器件的針孔類缺陷檢測方法，其特征在于，通過對所述氧化層的表面進行掃描，以檢測所述氧化層是否存在缺陷。