[發(fā)明專利]氣相聚合聚3,4-乙撐二氧噻吩和石墨烯疊層柔性透明電極的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410055227.6 | 申請日: | 2014-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN103824615A | 公開(公告)日: | 2014-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬延文;張自強(qiáng);馮曉苗;周偉欣;黃維 | 申請(專利權(quán))人: | 南京郵電大學(xué) |
| 主分類號: | H01B5/14 | 分類號: | H01B5/14;H01B1/12;H01B1/04;H01B13/00 |
| 代理公司: | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200 | 代理人: | 葉連生 |
| 地址: | 210023 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 相聚 二氧 噻吩 石墨 烯疊層 柔性 透明 電極 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種氣相聚合聚3,4-乙撐二氧噻吩和石墨烯疊層柔性透明電極,屬于柔性透明電極制造的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
透明導(dǎo)電薄膜是許多光電子器件的重要組成部分,例如平板顯示器,有機(jī)太陽能電池,有機(jī)發(fā)光二極管(OLED),智能窗等,最常見的透明電極材料是銦錫氧化物(ITO)。雖然,銦錫氧化物(ITO)由于它的低的方阻和較高的透光率,已經(jīng)成為透明導(dǎo)電薄膜的主要材料。但是使用ITO也存在許多缺點(diǎn):(1)銦的價格不斷上漲;(2)它們的非柔性特性無法滿足柔性器件的要求;(3)ITO膜彎曲后它的導(dǎo)電性能會有大幅度的下降;(4)在近紅外區(qū)透明性能不好。由于這些原因,尋找可以代替ITO材料的新材料的研究不斷進(jìn)行。
可以替代該材料的新材料主要有碳納米管、石墨烯、導(dǎo)電聚合物、金屬納米材料。其中導(dǎo)電聚合物主要是聚3,4-乙撐二氧噻吩(PEDOT),由于PEDOT可以直接在襯底上制備成膜,省去了選用噴涂、旋涂、邁耶棒等輔助工具成膜的步驟。目前直接在襯底上制備PEDOT主要有濕法化學(xué)氧化聚合、電化學(xué)聚合、氣相聚合。特別是氣相聚合PEDOT(VPP-PEDOT),不僅可以獲得透光率高、導(dǎo)電性好、均勻性好的高質(zhì)量柔性透明導(dǎo)電薄膜,而且反應(yīng)時間極短,只需10-30min。韓國的漢陽大學(xué)制備出VPP-PEDOT膜厚為300nm,薄膜電阻為200Ω/sq薄膜(SyntheticMetals,2003,139,485–489)。美國紐約州立大學(xué)賓漢姆頓大學(xué)的研究人員制備出透光率為94%,電導(dǎo)率為600S/cm的高質(zhì)量VPP-PEDOT薄膜(SyntheticMetals,2011,161,1159–1165)。澳大利亞的南澳大學(xué)通過真空制備出VPP-PEDOT電導(dǎo)率高達(dá)1485S/cm(Thin?SolidFilms,2011,519,2544-2549)。
PEDOT除了可以直接作為導(dǎo)電膜外,還可以與其他導(dǎo)電薄膜復(fù)合,構(gòu)建復(fù)合導(dǎo)電薄膜。基于這一特點(diǎn),PEDOT可與石墨烯形成復(fù)合薄膜,這樣可以有效地把PEDOT的均勻?qū)щ娦蕴攸c(diǎn)和石墨烯晶疇(化學(xué)沉積法制備的石墨烯膜由大量的單晶石墨烯晶疇構(gòu)成)的高電導(dǎo)率。電子科技大學(xué)通過溶液和電化學(xué)方法獲得PEDOT和石墨烯的復(fù)合薄膜(CN201310279461,CN201310296805)。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題:本發(fā)明提出一種氣相聚合聚3,4-乙撐二氧噻吩和石墨烯疊層柔性透明電極的方法,是一種VPP-PEDOT薄膜和石墨烯薄膜通過疊層而形成的柔性透明電極,這種疊層結(jié)構(gòu)既具有明顯的薄膜界面又實(shí)現(xiàn)了VPP-PEDOT薄膜和石墨烯薄膜在二維尺度上的連接,能產(chǎn)生二者的協(xié)同效應(yīng),性能優(yōu)于其中任一薄膜。
技術(shù)方案:本發(fā)明的氣相聚合聚3,4-乙撐二氧噻吩和石墨烯疊層柔性透明電極通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn),
所述柔性透明電極由氣相聚合聚3,4-乙撐二氧噻吩薄膜和石墨烯薄膜通過疊層結(jié)構(gòu)附著在透明聚合物襯底上而構(gòu)成。
氣相聚合聚3,4-乙撐二氧噻吩薄膜和石墨烯薄膜的疊層結(jié)構(gòu)表示為:
VPP-PEDOT表示氣相聚合的聚3,4-乙撐二氧噻吩薄膜;G表示為石墨烯薄膜;n=1-10,表示為層數(shù)。
VPP-PEDOT薄膜的厚度為5-300nm。
石墨烯薄膜包括化學(xué)氣相沉積制備的石墨烯薄膜或由氧化石墨烯還原制備的石墨烯薄膜。
氣相聚合聚3,4-乙撐二氧噻吩薄膜通過氣相聚合的方法制備。
本發(fā)明的氣相聚合聚3,4-乙撐二氧噻吩和石墨烯疊層柔性透明電極的制備方法具體如下:
①將聚對苯二甲酸乙二醇酯PET透明聚合物柔性襯底任一外層保護(hù)膜去除在氧等離子體中處理2-5min;
②將均勻分散在正丁醇中的氧化劑、抑制劑旋涂到處理好的PET上,然后將PET在70℃的加熱板上加熱60s烘干正丁醇;
③將PET放到聚合反應(yīng)釜中并在表面氣相聚合PEDOT薄膜,聚合結(jié)束后在乙醇中清洗10min用來洗去多余的氧化劑并用氣槍吹干,然后再用乙醇清洗并烘干,最后將上述薄膜在加熱板上60℃加熱30min;得到VPP-PEDOT薄膜;
④將采用化學(xué)氣相沉積生長的或者化學(xué)氧化法制備的石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到VPP-PEDOT薄膜上,在VPP-PEDOT薄膜上疊加石墨烯薄膜;
⑤最后制備出形式結(jié)構(gòu)的復(fù)合薄膜,其中n=1,獲得所述柔性電極。
所述的氧化劑為:對甲苯磺酸鐵六水合物或六水合三氯化鐵。
所述的抑制劑為:吡啶。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京郵電大學(xué),未經(jīng)南京郵電大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410055227.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01B 電纜;導(dǎo)體;絕緣體;導(dǎo)電、絕緣或介電材料的選擇
H01B5-00 按形狀區(qū)分的非絕緣導(dǎo)體或?qū)щ娢矬w
H01B5-02 .單根桿、棒、線或帶;匯流排
H01B5-06 .單管
H01B5-08 .若干根線或類似物的絞線
H01B5-12 .編織線或其類似物
- 二氧代烷與二氧代烯
- 一種脫二氧喹烯酮半抗原及其制備方法和其應(yīng)用
- 2-氧代-1;3-二氧戊環(huán)-4-酰基鹵、其制備及用途
- 一種帶二氧化碳回收的全制氧燃燒石油焦工業(yè)玻璃窯爐系統(tǒng)
- 一種特高壓電纜座型絕緣子的二氧砂鑄造模具
- 一種回收二氧五環(huán)重沸塔底部物料的裝置及工藝流程
- 一種回收二氧五環(huán)重沸塔底部物料的裝置
- 一種特高壓電纜座型絕緣子的二氧砂鑄造模具
- 取代的2-(2,6-二氧哌啶-3-基)-鄰苯二甲酰亞胺和-1-氧異二氫吲哚及降低腫瘤壞死因子α的方法
- 取代的2-(2,6-二氧-3-氟哌啶-3-基)-異二氫吲哚及其降低腫瘤壞死因子α水平的用途
專利文獻(xiàn)下載
說明:
1、專利原文基于中國國家知識產(chǎn)權(quán)局專利說明書;
2、支持發(fā)明專利 、實(shí)用新型專利、外觀設(shè)計專利(升級中);
3、專利數(shù)據(jù)每周兩次同步更新,支持Adobe PDF格式;
4、內(nèi)容包括專利技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖、流程工藝圖或技術(shù)構(gòu)造圖;
5、已全新升級為極速版,下載速度顯著提升!歡迎使用!





