[發明專利]LED芯片及其制作方法、LED發光器件

有效

• 申請號: 201410055140.9
• 申請日: 2014-02-18
• 公開（公告）號: CN103779473A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 徐亮;康學軍;李鵬;張冀
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一襯底；

在所述第一襯底上依次形成緩沖層、發光結構、擴散阻擋層和絕緣層，其中，所述發光結構包括依次形成的N型氮化鎵層、有源層、P型氮化鎵層和金屬反射層；

對所述絕緣層進行刻蝕，形成貫穿所述絕緣層和擴散阻擋層并延伸至所述N型氮化鎵層中的第一通孔，并在所述第一通孔內填充金屬層形成第一電極；

在所述具有第一電極的絕緣層表面形成金屬種子層和金屬支撐層，并將所述第一襯底與所述發光結構分開；

對所述發光結構進行刻蝕，形成貫穿所述發光結構的第二通孔，并在所述第二通孔內填充金屬層形成第二電極。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬支撐層是采用電鍍工藝形成的。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述金屬種子層是采用電子束蒸發或者磁控濺射工藝形成的。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一電極或第二電極是采用電子束蒸鍍、磁控濺射、電鍍或化學鍍工藝在所述第一通孔或第二通孔中沉積填充金屬層形成的。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一通孔和第二通孔是采用干法刻蝕工藝形成的。

6.一種LED芯片，其特征在于，包括：

金屬支撐層；

位于所述金屬支撐層表面的金屬種子層、絕緣層和擴散阻擋層；

位于所述擴散阻擋層表面的發光結構，所述發光結構包括從下往上依次排列的金屬反射層、P型氮化鎵層、有源層和N型氮化鎵層；

貫穿所述絕緣層和擴散阻擋層并延伸至所述N型氮化鎵層中，連通所述金屬支撐層與所述N型氮化鎵層的第一電極；

貫穿所述發光結構的第二電極。

7.根據權利要求6所述的LED芯片，其特征在于，形成所述金屬種子層的材料為Pd、Pt、Au、W、Ni、Ta、Co、Ti中的一種或幾種，其厚度范圍約為100nm～500nm。

8.根據權利要求7所述的LED芯片，其特征在于，形成所述金屬支撐層的材料為Ni、Cu、Au、Mo、Mn、Sn中的一種或幾種，其厚度范圍約為40μm～500μm。

9.根據權利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片具有多個所述第一電極。

10.一種LED發光器件，其特征在于，包括權利要求6-9任一項所述的LED芯片。