[發明專利]半導體封裝及其制造方法

無效

• 申請號: 201410054734.8
• 申請日: 2010-04-28
• 公開（公告）號: CN103855138A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 孫晧榮;崔俊基;梁勝宅
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/768;H01L21/98;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;吳鵬章

1.一種半導體封裝，包括：

半導體芯片，包括：

第一表面和背離所述第一表面的第二表面，

設置于所述半導體芯片中的電路部，

與所述電路部電耦合并且在相對于所述第一表面的不同深度處的第一和第二內部電路圖案，和

均穿過所述第一和第二表面并分別穿過所述第一和第二內部電路圖案的第一和第二通孔；

分別在所述第一和第二通孔上的第一和第二絕緣層，所述第一和第二絕緣層分別具有分別沿著所述第一和第二通孔暴露出所述第一和第二內部電路圖案的第一開口和第二開口；以及

分別在所述第一和第二通孔內的第一和第二貫通電極，所述第一和第二貫通電極分別與通過所述第一和第二開口分別暴露出的所述第一和第二內部電路圖案電耦合。

2.根據權利要求1的半導體封裝，還包括：

在所述第一絕緣層上并與所述第一內部電路圖電連接的第一擴散阻擋層；

在所述第一擴散阻擋層和所述第一貫通電極之間的籽金屬層；

在所述第二絕緣層上并具有暴露出所述第二內部電路圖案的開口的第二擴散阻擋層；以及

在所述第二擴散阻擋層上并與所述第二內部電路圖案電耦合的第二籽金屬層。

3.根據權利要求1的半導體封裝，其中所述第一內部電路圖案和所述第二內部電路圖案由不同的金屬形成。

4.根據權利要求1的半導體封裝，還包括：

在所述半導體芯片的所述第一表面上并與所述電路部電耦合的焊墊；

與所述焊墊電耦合并在附加通孔內的附加貫通電極，使得所述附加通孔穿過所述第一和第二表面；以及；

在所述附加貫通電極和所述附加通孔之間的附加絕緣層。

5.一種制造半導體封裝的方法，包括以下步驟：

制造半導體芯片，所述半導體芯片具有：第一表面和背離所述第一表面的第二表面；設置于所述半導體芯片中的電路部；與所述電路部電耦合的第一和第二內部電路圖案，使得所述第一和第二內部電路圖案在相對于所述第一表面的不同深度處；以及均穿過所述第一和第二表面的第一和第二通孔，所述第一和第二通孔分別穿過所述第一和第二內部電路圖案；

分別在所述第一和第二通孔上形成第一和第二絕緣層，使得所述第一和第二絕緣層分別具有通過所述第一和第二通孔暴露出所述第一和第二內部電路圖案的第一開口和第二開口；

在所述第一絕緣層上形成第一擴散阻擋層，以通過所述第一絕緣層的所述第一開口使所述第一擴散阻擋層與所述第一內部電路圖案電耦合，并且在所述第二絕緣層上形成第二擴散阻擋層，使得所述第二擴散阻擋層具有與所述第二開口對準的第三開口；

在所述第一擴散阻擋層上形成第一籽金屬層和在所述第二擴散阻擋層上形成第二籽金屬層，使得所述第二籽金屬層與所述第二內部電路圖案電耦合；以及

分別在所述第一和第二籽金屬層上形成第一和第二貫通電極。

6.根據權利要求5的方法，還包括將至少兩個半導體芯片堆疊在一起，其中所述至少兩個半導體芯片的貫通電極彼此電耦合。

7.根據權利要求5的方法，其中所述第一內部電路圖案和所述第二內部電路圖案由不同的金屬形成。

8.根據權利要求5的方法，其中在形成所述第一和第二絕緣層以及所述第一和第二擴散阻擋層的步驟中，所述第一和第二絕緣層以及所述第一和第二擴散阻擋層使用電接枝工藝或化學接枝工藝形成。