[發明專利]一種在受控襯底剝脫期間促進開裂萌生的方法

有效

• 申請號: 201410054708.5
• 申請日: 2014-02-18
• 公開（公告）號: CN104008963B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發明（設計）人: S·W·比德爾;K·E·福格爾;B·赫克瑪特紹塔巴里;P·A·勞羅;D·K·薩達那;D·沙赫莉亞迪
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/302
• 分類號: H01L21/302;H01L21/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 于靜;張亞非

1.一種用于從襯底去除材料層的方法，所述方法包括：

提供襯底，所述襯底從下到上包括基礎部分和表面部分，所述基礎部分包含至少一種第一材料并具有第一斷裂韌度，以及所述表面部分包含至少一種第二材料并具有第二斷裂韌度，其中，所述第二斷裂韌度不同于所述第一斷裂韌度，以及其中表面臺階區域位于所述襯底的每個垂直邊緣處且在所述襯底的前側上；

在所述襯底的所述前側的頂上形成應力源層；

通過剝脫從所述襯底去除材料層，其中，開裂傳播僅發生在所述第一材料或所述第二材料中的一者中。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，提供所述襯底包括在所述基礎部分上均厚沉積所述表面部分，以及構圖所述表面部分以在其中包括所述表面臺階區域。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述構圖形成包括光刻和蝕刻。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述蝕刻完全去除所述表面部分的暴露區域。

5.根據權利要求3所述的方法，所述蝕刻部分地去除所述表面部分的暴露區域。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述表面部分的部分去除的暴露區域具有第一厚度，所述第一厚度小于所述表面部分的鄰近區域的第二厚度。

7.根據權利要求2所述的方法，其中，所述構圖包括激光燒蝕。

8.根據權利要求2所述的方法，其中，所述構圖包括反應離子蝕刻。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，提供所述襯底包括選擇性淀積工藝，在所述選擇性淀積工藝中在所述基礎部分的預定區域上形成所述表面部分。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一斷裂韌度大于所述第二斷裂韌度。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一斷裂韌度小于所述第二斷裂韌度。

12.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述應力源層和所述襯底之間形成含有金屬的粘合層。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，所述應力源層包括金屬、聚合物、剝脫誘導帶或其任何組合。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，所述應力源層是Ni。

15.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在所述應力源層的暴露表面上形成處理襯底。

16.根據權利要求1所述的方法，其中，所述剝脫在室溫下進行。

17.根據權利要求1所述的方法，還包括從所述材料層去除至少所述應力源層。

18.根據權利要求1所述的方法，其中，所述表面臺階區域具有從所述垂直邊緣中的一個向內延伸的從1μm到1cm的寬度。

19.根據權利要求1所述的方法，其中，所述應力源層直接接觸包括所述表面臺階區域的所述襯底的所述前側。

20.根據權利要求14所述的方法，其中，所述處理層是直接形成在所述應力源層上的帶，其中所述剝脫包括剝離或拉所述帶。

21.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一材料包括藍寶石或SiC以及所述第二材料包括半導體材料。

22.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一材料包括Si或Ge，以及所述第二材料包括半導體材料。

23.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二材料包括一種或多種III-V化合物半導體。

24.根據權利要求1所述的方法，其中，所述表面部分包括在其上構建的一個或多個半導體器件。