[發(fā)明專利]一種基于缺陷磁泄漏域反向場(chǎng)的漏磁檢測(cè)方法與裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410054589.3
• 申請(qǐng)日: 2014-02-18
• 公開（公告）號(hào): CN103776897A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫燕華;馮博;康宜華;葉志堅(jiān);李冬林
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N27/83
• 分類號(hào): G01N27/83
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心 42201
• 代理人: 曹葆青

1.?一種基于磁真空泄漏原理的漏磁檢測(cè)方法，該方法步驟包括：

第1步、將待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件磁化；

第2步、在上述被磁化的導(dǎo)磁構(gòu)件外圍，施加反向磁場(chǎng)，抵消背景磁場(chǎng)，形成磁真空區(qū)域；

第3步、采用磁敏元件布置于磁真空區(qū)域，拾取無磁壓縮效應(yīng)的缺陷漏磁場(chǎng)并轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)，如果電壓信號(hào)中存在突變，則說明待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件中存在缺陷，否則無缺陷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的漏磁檢測(cè)方法，其特征在于：第2步中，利用永磁體對(duì)靠近待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件，在待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件外圍區(qū)域形成反向磁場(chǎng)抵消原有背景磁場(chǎng)，形成磁真空區(qū)域，同時(shí)進(jìn)一步增大被磁化體內(nèi)磁感應(yīng)場(chǎng)。

3.一種實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述的漏磁檢測(cè)方法的裝置，其特征在于：該裝置包括穿過式線圈、永磁體對(duì)、磁敏霍爾元件、放大器、濾波器、A/D轉(zhuǎn)換器及數(shù)據(jù)處理器；

穿過式線圈用于對(duì)待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件實(shí)施局部磁化，以便激發(fā)出磁化區(qū)域內(nèi)待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件上缺陷的漏磁場(chǎng)；永磁體對(duì)布置在穿過式線圈的內(nèi)腔，霍爾元件布置在永磁體對(duì)之間；

檢測(cè)時(shí)，穿過式線圈套在待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件外，并使磁敏霍爾元件與待檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件表面之間的提離距離為1-10mm；永磁體對(duì)所形成磁場(chǎng)與穿過式線圈內(nèi)腔背景磁場(chǎng)相反并與之形成疊加抵消，形成低磁壓區(qū)域；

所述磁敏霍爾元件依次經(jīng)過放大器、濾波器和A/D轉(zhuǎn)換器與數(shù)據(jù)處理器電信號(hào)連接。