[發明專利]接觸窗配置裝置及其接觸窗配置方法有效
| 申請號: | 201410054358.2 | 申請日: | 2014-02-18 |
| 公開(公告)號: | CN104851836B | 公開(公告)日: | 2018-01-05 |
| 發明(設計)人: | 黃建清 | 申請(專利權)人: | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;G06F17/50 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人: | 李昕巍,趙根喜 |
| 地址: | 中國臺灣臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸 配置 裝置 及其 方法 | ||
1.一種接觸窗配置方法,適于配置一第一導線層與一第二導線層所交迭形成的一矩形區域上多個接觸窗的位置,其中各該接觸窗具有相鄰的第一邊與第二邊,該矩形區域具有相鄰的一第一邊界與一第二邊界,該接觸窗配置方法包括:
接收相鄰的該些接觸窗的第一邊之間的一第一預設距離以及第二邊之間的一第二預設距離;
依據該第一預設距離分別決定對應該第一邊界與該第二邊界的一第一接觸窗排列個數與一第二接觸窗排列個數,并依據該第二預設距離分別決定對應該第一邊界與該第二邊界的一第三接觸窗排列個數與一第四接觸窗排列個數,其中該第一接觸窗排列個數與該第四接觸窗排列個數的乘積定義一第一接觸窗配置總數,該第二接觸窗排列個數與該第三接觸窗排列個數的乘積定義一第二接觸窗配置總數;
比較該第一接觸窗配置總數與該第二接觸窗配置總數的數量;
依據該第一接觸窗配置總數與該第二接觸窗配置總數的比較結果決定該些接觸窗的配置總數;以及
以該矩形區域的水平中心線與垂直中心線為基準,對應所決定的接觸窗配置總數的排列方式來配置該些接觸窗。
2.根據權利要求1的接觸窗配置方法,其中各該接觸窗的第一邊具有一第一預設寬度,第二邊具有一第二預設寬度。
3.根據權利要求2的接觸窗配置方法,其中依據該第一預設距離決定對應該第一邊界的該第一接觸窗排列個數的步驟包括:
將該第一邊界的長度減去一第一預留邊距,以得到一第一排列長度;
將該第一排列長度除以該第一預設距離,并對相除結果取整數,以得到一整數值;
判斷該第一排列長度除以該第一預設距離所得的余數是否大于或等于該第二預設寬度;
若該第一排列長度除以該第一預設距離所得的余數大于或等于該第二預設寬度,將該整數值加1后所得的值作為該第一接觸窗排列個數;以及
若該第一排列長度除以該第一預設距離所得的余數小于該第二預設寬度,將該整數值作為該第一接觸窗排列個數。
4.根據權利要求2的接觸窗配置方法,其中依據該第一預設距離決定對應該第二邊界的該第二接觸窗排列個數的步驟包括:
將該第二邊界的長度減去一第二預留邊距,以得到一第二排列長度;
將該第二排列長度除以該第一預設距離,并對相除結果取整數,以得到一整數值;
判斷該第二排列長度除以該第一預設距離所得的余數是否大于或等于該第二預設寬度;
若該第二排列長度除以該第一預設距離所得的余數大于或等于該第二預設寬度,將該整數值加1后所得的值作為該第二接觸窗排列個數;以及
若該第二排列長度除以該第一預設距離所得的余數小于該第二預設寬度,將該整數值作為該第二接觸窗排列個數。
5.根據權利要求2的接觸窗配置方法,其中依據該第二預設距離決定對應該第一邊界的該第三接觸窗排列個數的步驟包括:
將該第一邊界的長度減去一第一預留邊距,以得到一第一排列長度;
將該第一排列長度除以該第二預設距離,并對相除結果取整數,以得到一整數值;
判斷該第一排列長度除以該第二預設距離所得的余數是否大于或等于該第一預設寬度;
若該第一排列長度除以該第二預設距離所得的余數大于或等于該第一預設寬度,將該整數值加1后所得的值作為該第三接觸窗排列個數;以及
若該第一排列長度除以該第二預設距離所得的余數小于該第一預設寬度,將該整數值作為該第三接觸窗排列個數。
6.根據權利要求2的接觸窗配置方法,其中依據該第二預設距離決定對應該第二邊界的該第四接觸窗排列個數的步驟包括:
將該第二邊界的長度減去一第二預留邊距,以得到一第二排列長度;
將該第二排列長度除以該第二預設距離,并對相除結果取整數,以得到一整數值;
判斷該第二排列長度除以該第二預設距離所得的余數是否大于或等于該第一預設寬度;
若該第二排列長度除以該第二預設距離所得的余數大于或等于該第一預設寬度,將該整數值加1后所得的值作為該第四接觸窗排列個數;以及
若該第二排列長度除以該第二預設距離所得的余數小于該第一預設寬度,將該整數值作為該第四接觸窗排列個數。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





