[發明專利]用于等離子體晶片處理的混合邊緣環

有效

• 申請號: 201410053976.5
• 申請日: 2014-02-18
• 公開（公告）號: CN103996593B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 布賴恩·麥科米林;亞瑟·薩托;尼爾·本杰明
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/09
• 分類號: H01J37/09
• 代理公司: 上海勝康律師事務所31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種用于等離子體處理室的邊緣環組件，其包括：

射頻導電環，其被定位在底板的環形表面上，并被配置為包圍所述底板的上部且在被定位在所述底板的上表面上的晶片的外緣下面延伸；以及

晶片邊緣保護環，其被定位在所述射頻導電環的上表面的上方，并且被配置為在所述晶片的外緣上延伸，所述晶片邊緣保護環具有被配置為在所述晶片的外緣上延伸的厚度均勻的內緣部分、從所述內緣部分向外延伸到水平上表面的圓錐形上表面以及被定位在所述射頻導電環的上表面上并且被配置為在所述晶片的外緣上延伸的內環槽。

2.如權利要求1所述的組件，包括：

底環，其被配置為支撐在所述底板的環形表面上并且被定位在所述射頻導電環與所述底板的環形表面之間。

3.如權利要求1所述的組件，其中，所述射頻導電環在其內部具有環槽，所述環槽被配置為在所述晶片的外緣下面延伸。

4.如權利要求1所述的組件，其中，所述晶片邊緣保護環具有中央環槽和至少三個凹槽，所述中央環槽被配置為接收定心環，并且所述至少三個凹槽中的每一個被配置為接收陶瓷升降桿，所述陶瓷升降桿在晶片轉移期間使所述晶片邊緣保護環向上升起。

5.如權利要求1所述的組件，其中，所述晶片邊緣保護環的內緣部分具有約0.030英寸至0.060英寸的厚度。

6.如權利要求1所述的組件，其中，所述晶片邊緣保護環被配置為在所述晶片的外緣上延伸約0.5mm至3.0mm。

7.如權利要求1所述的組件，其中，所述晶片邊緣保護環不與所述晶片接觸。

8.如權利要求2所述的組件，其包括：

石英環，其包圍所述底板的外表面和所述底環的外緣。

9.如權利要求8所述的組件，其包括：

定心環，其包圍所述石英環的外緣并且向上延伸到所述晶片邊緣保護環內的中央環槽中。

10.如權利要求1所述的組件，其中，所述射頻導電環是由碳化硅（SiC）制成的并且具有小于約100Ohm-cm的電阻率。

11.如權利要求1所述的組件，其中，所述射頻導電環是由摻雜硅（Si）制成的。

12.如權利要求1所述的組件，其中，所述晶片邊緣保護環是由射頻導電材料制成的。

13.如權利要求2所述的組件，其中，所述底環是鋁環。

14.如權利要求2所述的組件，其中，所述底環是陽極氧化鋁環。

15.一種用于等離子體處理室的下電極組件，其包括：

底板，其被配置為將晶片接收在其上表面上；

底環，其被支撐在所述底板的環形表面上并且包圍所述底板；

射頻導電環，其被定位在所述底環的上表面上，并包圍所述底板的上部且被配置為在被定位在所述底板的上表面上的晶片的外緣下面延伸；

晶片邊緣保護環，其被定位在所述射頻導電環的上表面的上方并且被配置為在所述晶片的外緣上延伸；

石英環，其包圍所述底板的外表面和所述底環的外緣；以及

定心環，其包圍所述石英環的外緣并且向上延伸到所述晶片邊緣保護環內的中央環槽。

16.如權利要求15所述的下電極組件，其中，所述射頻導電環在其內部具有環槽，所述環槽被配置為在所述晶片的外緣下面延伸。

17.如權利要求15所述的下電極組件，其中，所述晶片邊緣保護環具有厚度均勻的內緣部分，所述內緣部分被配置為在所述晶片的外緣上延伸。

18.如權利要求17所述的下電極組件，其中，所述晶片邊緣保護環具有：圓錐形上表面，其從所述內緣部分向外延伸到水平上表面；內環槽，其被定位在所述射頻導電環的上表面上并且被配置為在所述晶片的上緣上延伸；以及至少三個凹槽，所述至少三個凹槽中的每一個被配置為接收陶瓷升降桿，所述陶瓷升降桿在晶片轉移期間使所述晶片邊緣保護環向上升起。

19.如權利要求15所述的下電極組件，其中，所述晶片邊緣保護環的內緣部分具有約0.030英寸至0.060英寸的厚度。

20.如權利要求15所述的下電極組件，其中，所述晶片邊緣保護環被配置為在所述晶片的外緣上延伸約0.5mm至3.0mm。