[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410053952.X
• 申請日: 2014-02-18
• 公開（公告）號: CN104009075B
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發明（設計）人: 河合徹;井上隆;中山達峰;岡本康宏;宮本広信
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205;H01L21/335
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 陳華成

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

第1氮化物半導體層，形成于基板的上方；

第2氮化物半導體層，形成于所述第1氮化物半導體層上；

第3氮化物半導體層，形成于所述第2氮化物半導體層上，由帶隙比所述第2氮化物半導體層寬的氮化物半導體構成；

槽，貫通所述第3氮化物半導體層而到達至所述第2氮化物半導體層的中途；以及

柵電極，在所述槽內隔著柵極絕緣膜地配置，

所述第2氮化物半導體層含有n型雜質，

所述第2氮化物半導體層的所述第1氮化物半導體層側的區域的所述n型雜質的濃度小于所述第3氮化物半導體層側的區域，

所述第1氮化物半導體層由帶隙比所述第2氮化物半導體層寬的氮化物半導體或者含有p型雜質的氮化物半導體構成。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2氮化物半導體層具有：

未摻雜的第1層；以及

第2層，形成于所述第1層上，含有第1濃度的n型雜質。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1濃度是1×10¹⁷/cm³以上且小于1×10¹⁸/cm³。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體裝置具有在所述柵電極的兩側的所述第3氮化物半導體層的上方分別形成的源電極以及漏電極。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述源電極與所述第3氮化物半導體層的連接以及所述漏電極與所述第3氮化物半導體層的連接分別是歐姆連接。

6.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體裝置具有與所述槽的所述漏電極側的側面部相接的n型的雜質區域。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

所述n型的雜質區域的所述源電極側的端部與所述槽的內部的柵電極的所述漏電極側的側面部相比位于更靠近所述源電極側的位置，

所述n型的雜質區域的所述漏電極側的端部與所述柵電極的所述漏電極側的端部相比位于更靠近所述源電極側的位置。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

所述雜質區域包括所述第3氮化物半導體層的一部分區域和所述第2氮化物半導體層的一部分區域，該一部分區域含有硅Si。

9.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體裝置具有與所述槽的所述源電極側的側面部相接的n型的其他雜質區域。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，

所述n型的其他雜質區域延伸至所述源電極的下部。