[發明專利]一種成分梯度的一維CoxFe3-xO4磁性納米線的制備方法有效
| 申請號： | 201410053725.7 | 申請日： | 2014-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN104030367A | 公開（公告）日： | 2014-09-10 |
| 發明（設計）人： | 胡軍;張峰;陳愛民;汪晶 | 申請（專利權）人： | 瑞安市浙工大技術轉移中心 |
| 主分類號： | C01G51/04 | 分類號： | C01G51/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州天正專利事務所有限公司 33201 | 代理人： | 黃美娟;王曉普 |
| 地址： | 325299 浙江省溫州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 成分 梯度 co sub fe 磁性 納米 制備 方法 | ||
1.一種成分梯度的一維CoxFe3-xO4磁性納米線的制備方法，其特征在于所述方法為：
FeCl3和CoCl2分別研磨成粉末，FeCl3和CoCl2按物質的量之比為1.8：1混合均勻，作為反應前驅體放于瓷舟中，然后將瓷舟放入管式爐的加熱區，基體放入管式爐的不加熱區，所述基體為SiO2/Si基體；所述SiO2/Si基體為覆蓋有SiO2膜的硅片；所述基體與反應前驅體的距離為7-10cm；調節管式爐加熱區的溫度達到700～900℃，并向管式爐內通入載氣，載氣的方向由加熱區入口吹向不加熱區出口；所述載氣是含有體積分數2～5%的氧氣的氮氣；載氣流速為40～70mL/min，保溫2～3h，然后將管式爐冷卻至室溫，將基體取出，基體表面有均勻的暗灰色薄膜，即制得成分梯度的一維CoxFe3-xO4納米線，所述CoxFe3-xO4納米線中，x=0.1-0.3。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述管式爐冷卻時，載氣持續通入。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述基體與反應前驅體的連線與管式爐方向平行。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述基體為覆蓋有SiO2膜的硅片，所述覆蓋有SiO2膜的硅片按以下方法得到：將硅片分別依次用丙酮、乙醇和去離子水中超聲處理10～15min，用高純氮氣吹干后，將干燥的硅片浸沒于體積比為1：1：5的30wt%雙氧水、37wt%鹽酸和水的混合溶液中，70～80℃處理20～30min，然后取出用高純氮氣吹干，制得表面覆蓋有40～100nm厚度SiO2膜的硅片。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述管式爐加熱區的溫度為900℃。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述載氣流速為50mL/min。
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