[發(fā)明專利]一種成分梯度的一維CoxFe3-xO4磁性納米線的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410053725.7
• 申請日: 2014-02-17
• 公開（公告）號: CN104030367A
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發(fā)明（設計）人: 胡軍;張峰;陳愛民;汪晶
• 申請（專利權）人: 瑞安市浙工大技術轉移中心
• 主分類號: C01G51/04
• 分類號: C01G51/04;B82Y40/00
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司 33201
• 代理人: 黃美娟;王曉普

1.一種成分梯度的一維Co_xFe_3-xO₄磁性納米線的制備方法，其特征在于所述方法為：

FeCl₃和CoCl₂分別研磨成粉末，F(xiàn)eCl₃和CoCl₂按物質的量之比為1.8：1混合均勻，作為反應前驅體放于瓷舟中，然后將瓷舟放入管式爐的加熱區(qū)，基體放入管式爐的不加熱區(qū)，所述基體為SiO₂/Si基體；所述SiO₂/Si基體為覆蓋有SiO₂膜的硅片；所述基體與反應前驅體的距離為7-10cm；調節(jié)管式爐加熱區(qū)的溫度達到700～900℃，并向管式爐內通入載氣，載氣的方向由加熱區(qū)入口吹向不加熱區(qū)出口；所述載氣是含有體積分數(shù)2～5%的氧氣的氮氣；載氣流速為40～70mL/min，保溫2～3h，然后將管式爐冷卻至室溫，將基體取出，基體表面有均勻的暗灰色薄膜，即制得成分梯度的一維Co_xFe_3-xO₄納米線，所述Co_xFe_3-xO₄納米線中，x=0.1-0.3。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述管式爐冷卻時，載氣持續(xù)通入。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述基體與反應前驅體的連線與管式爐方向平行。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述基體為覆蓋有SiO₂膜的硅片，所述覆蓋有SiO₂膜的硅片按以下方法得到：將硅片分別依次用丙酮、乙醇和去離子水中超聲處理10～15min，用高純氮氣吹干后，將干燥的硅片浸沒于體積比為1：1：5的30wt%雙氧水、37wt%鹽酸和水的混合溶液中，70～80℃處理20～30min，然后取出用高純氮氣吹干，制得表面覆蓋有40～100nm厚度SiO₂膜的硅片。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述管式爐加熱區(qū)的溫度為900℃。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于所述載氣流速為50mL/min。