[發明專利]一種C-SAM中接合晶圓的密封結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201410053580.0
• 申請日: 2014-02-17
• 公開（公告）號: CN104851848A
• 公開（公告）日: 2015-08-19
• 發明（設計）人: 侯元琨;游寬結;華宇;趙月林
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/28;H01L21/56;H01L21/66
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種C-SAM中接合晶圓的密封結構，所述密封結構位于所述接合晶圓的邊緣，將位于所述密封結構內側的所述接合晶圓形成密封區域，以防止C-SAM檢測中所述接合晶圓的間隙進水；

其中，所述接合晶圓包括相互接合的上部接合晶圓和下部接合晶圓。

2.根據權利要求1所述的密封結構，其特征在于，所述密封結構和所述接合晶圓中的金屬層選用相同的材料。

3.根據權利要求1所述的密封結構，其特征在于，所述密封結構包括設置于所述上部接合晶圓的第一凸起和設置于所述下部接合晶圓上的第二凸起，所述第一凸起和所述第二凸起之間密封接合為一體。

4.根據權利要求1所述的密封結構，其特征在于，其中所述第一凸起和所述上部接合晶圓表面的金屬層具有相同的高度。

5.根據權利要求1所述的密封結構，其特征在于，所述第二凸起和所述下部接合晶圓表面的金屬層具有相同的高度。

6.根據權利要求1所述的密封結構，其特征在于，所述密封結構呈環狀結構。

7.根據權利要求1或6所述的密封結構，其特征在于，所述密封結構包括內外嵌套設置的兩個環狀結構，所述兩個環狀結構之間相互隔離設置。

8.一種C-SAM中接合晶圓的密封結構的制備方法，包括：

提供分離的上部接合晶圓和下部接合晶圓；

在所述上部接合晶圓的邊緣和所述下部接合晶圓的邊緣形成密封材料層；

在所述密封材料層上形成圖案化的掩膜層；

以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述密封材料層，以分別在所述上部接合晶圓和所述下部接合晶圓的邊緣形成第一凸起和第二凸起；

將所述第一凸起和所述第二凸起接合為一體，以形成所述密封結構，將位于所述密封結構內側的所述接合晶圓形成密封區域。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述圖案化的掩膜層中形成有1:1的所述第一凸起和所述第二凸起。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一凸起所選用的材料與所述上部接合晶圓表面的金屬層的材料相同。

11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一凸起的高度與所述上部接合晶圓表面金屬層的高度相同。

12.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二凸起所選用的材料與所述下部接合晶圓表面的金屬層的材料相同。

13.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二凸起的高度與所述下部接合晶圓表面金屬層的高度相同。

14.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，將所述第一凸起和所述第二凸起接合為一體的同時，所述上部接合晶圓中的其他圖案與所述下部接合晶圓中的相應的圖案接合為一體，實現所述上部接合晶圓和所述下部接合晶圓的接合。

15.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一凸起和所述第二凸起均為環狀結構。

16.根據權利要求15所述的方法，其特征在于，所述上部接合晶圓上形成有內外嵌套設置的兩個環狀結構的所述第一凸起，所述兩個環狀結構的所述第一凸起之間相互隔離設置。

17.根據權利要求16所述的方法，其特征在于，所述下部接合晶圓上相應地形成有內外嵌套設置的兩個環狀結構的所述第二凸起，所述兩個環狀結構的所述第二凸起之間相互隔離設置。