[發(fā)明專利]用于等離子體刻蝕的聚焦環(huán)及具有其的等離子體刻蝕裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410053269.6 | 申請日： | 2014-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN103811247A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 韓文彬;馮涓;段文睿;田凌 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01J37/02 | 分類號： | H01J37/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 等離子體 刻蝕 聚焦 具有 裝置 | ||
1.一種用于等離子體刻蝕的聚焦環(huán)，其特征在于，包括：
下環(huán)，所述下環(huán)采用耐等離子體腐蝕的絕緣體制成；
中環(huán)，所述中環(huán)位于所述下環(huán)之上，采用導體制成；
上環(huán)，所述上環(huán)位于所述中環(huán)之上，采用半導體或絕緣體制成。
2.根據(jù)權利要求1所述的聚焦環(huán)，其特征在于，所述下環(huán)的材料為三氧化二鋁。
3.根據(jù)權利要求1-2所述的聚焦環(huán)，其特征在于，所述中環(huán)的材料為鋁。
4.根據(jù)權利要求1-3所述的聚焦環(huán)，其特征在于，所述上環(huán)的材料為硅、碳化硅或石英。
5.一種等離子體刻蝕裝置，其特征在于，包括：
載片臺，所述載片臺用于承托待刻蝕的晶圓；
權利要求1-4所述的聚焦環(huán)，所述聚焦環(huán)環(huán)繞設置在所述載片臺周圍，且所述聚焦環(huán)與所述晶圓不接觸，
其中，所述中環(huán)加載有預設電壓，所述預設電壓的大小等于等離子體放電過程中的周期平均電壓的近似最大值。
6.根據(jù)權利要求5所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述聚焦環(huán)的中環(huán)與下環(huán)之間的界面高于進行等離子體刻蝕時鞘層的頂面。
7.根據(jù)權利要求5-6所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述中環(huán)的厚度為0.2-0.5mm。
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