[發明專利]用于等離子體刻蝕的聚焦環及具有其的等離子體刻蝕裝置有效
| 申請號： | 201410053269.6 | 申請日： | 2014-02-17 |
| 公開（公告）號： | CN103811247A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發明（設計）人： | 韓文彬;馮涓;段文睿;田凌 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01J37/02 | 分類號： | H01J37/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 等離子體 刻蝕 聚焦 具有 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于等離子體刻蝕的聚焦環，其特征在于，包括：
下環，所述下環采用耐等離子體腐蝕的絕緣體制成；
中環，所述中環位于所述下環之上，采用導體制成；
上環，所述上環位于所述中環之上，采用半導體或絕緣體制成。
2.根據權利要求1所述的聚焦環，其特征在于，所述下環的材料為三氧化二鋁。
3.根據權利要求1-2所述的聚焦環，其特征在于，所述中環的材料為鋁。
4.根據權利要求1-3所述的聚焦環，其特征在于，所述上環的材料為硅、碳化硅或石英。
5.一種等離子體刻蝕裝置，其特征在于，包括：
載片臺，所述載片臺用于承托待刻蝕的晶圓；
權利要求1-4所述的聚焦環，所述聚焦環環繞設置在所述載片臺周圍，且所述聚焦環與所述晶圓不接觸，
其中，所述中環加載有預設電壓，所述預設電壓的大小等于等離子體放電過程中的周期平均電壓的近似最大值。
6.根據權利要求5所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述聚焦環的中環與下環之間的界面高于進行等離子體刻蝕時鞘層的頂面。
7.根據權利要求5-6所述的等離子體刻蝕裝置，其特征在于，所述中環的厚度為0.2-0.5mm。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于清華大學，未經清華大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410053269.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：多晶硅切割廢砂漿回收廢水的處理工藝
- 下一篇：一種床護欄的升降裝置
