[發明專利]離子注入過程中的溫度監控方法

有效

• 申請號: 201410053110.4
• 申請日: 2014-02-17
• 公開（公告）號: CN104851819B
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 李法濤;陽厚國
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種離子注入過程中的溫度監控方法，包括如下步驟：

啟動離子注入過程；所述離子注入過程針對形成有光刻膠層的硅片，且所述硅片處于真空腔室內；

通過錯誤檢測和分類系統實時監測離子注入過程中的真空度獲知溫度變化，并與預設的安全真空度范圍進行比較；所述真空度用于反映硅片的溫度；所述安全真空度范圍是離子注入過程的與多個不同階段分別對應的多個范圍；

若實時監測的真空度在所述安全真空度范圍之外，則執行警示響應。

2.根據權利要求1所述的離子注入過程中的溫度監控方法，其特征在于，所述安全真空度范圍包括在離子注入過程的與多個不同階段分別對應的多個范圍。

3.根據權利要求1所述的離子注入過程中的溫度監控方法，其特征在于，所述安全真空度范圍為對應多個響應等級的多個范圍。

4.根據權利要求1所述的離子注入過程中的溫度監控方法，其特征在于，還包括預設所述安全真空度范圍的步驟：

記錄半導體工藝過程中的離子注入過程下的真空度；

獲得所有記錄中的正常工藝過程下的最低值和最高值確定所述安全真空度范圍；

其中，所述正常工藝過程是指最終產品參數符合預設要求的工藝過程。

5.根據權利要求1所述的離子注入過程中的溫度監控方法，其特征在于，所述安全真空度范圍由錯誤檢測與分類系統設置，所述錯誤檢測與分類系統還負責執行所述警示響應。

6.根據權利要求4所述的離子注入過程中的溫度監控方法，其特征在于，所述警示響應包括向預設的收件人發送電子郵件。

7.根據權利要求4所述的離子注入過程中的溫度監控方法，其特征在于，若實時監測的真空度在所述安全真空度范圍之外，還執行保護響應，包括：

暫停產品生產、停止注入或停機臺的響應方式中的一種或兩種以上。