[發明專利]陣列基板、陣列基板的制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201410052964.0
• 申請日: 2014-02-17
• 公開（公告）號: CN103811502A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 姜曉輝;郭建;張家祥;田宗民
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制備方法，以及采用該陣列基板的顯示裝置。

背景技術

各向異性亦稱為非均勻性，是指物體的全部或部分物理化學性質隨方向的不同而各自表現出一定的差異的特性，理想的刻蝕工藝需要具備的一個重要特點就是良好的各向異性刻蝕，即只有垂直刻蝕，沒有橫向刻蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上刻蝕出與抗蝕劑膜上完全一致的幾何圖形。

請參考圖1，圖1為現有技術一種陣列基板的結構示意圖。

如圖1所示，現有技術中的陣列基板包括依次設置在基底1上的柵電極2、柵極絕緣層3（GI）、有源層4、歐姆接觸層5、源電極61以及漏電極62，像素電極7（ITO）搭接在漏電極62和柵極絕緣層3的上表面。

一般情況下，其制備方法為：在基底1首先形成柵電極2；然后形成柵極絕緣層3、有源層4以及歐姆接觸層5；接著形成源電極61和漏電極62；最后形成像素電極7。

在上述形成源電極61和漏電極62的過程中，采用濕法刻蝕工藝，濕法刻蝕雖然操作簡便，對設備要求低，但是其化學反應的各向異性較差，橫向刻蝕導致薄膜上的圖形的線寬比抗蝕劑膜上的線寬小，因此，精確控制性較差。

現有技術中，在源電極61和漏電極62的制備過程中，由于濕法刻蝕的各向異性較差以及精確控制性較差，因此，在刻蝕完成后漏電極62側面形成的坡度角a較大，坡度角a的范圍為80°～90°；同時，由于源漏電極金屬層厚度范圍為，而像素電極金屬層較薄，厚度范圍為，因此，在沉積像素電極金屬層時，在上述坡度角a的側面會由于重力作用而產生下滑，導致在此處的像素電極金屬層較薄甚至出現斷裂，很容易造成形成的像素電極7和漏電極62搭接不良，嚴重影響產品質量。

因此，如何提供一種陣列基板的制備方法，能夠促進像素電極和漏電極搭接，是本領域技術人員亟需解決的技術問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種陣列基板的制備方法，能夠促進像素電極和漏電極搭接。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是：

一種陣列基板，包括設置在基底上的柵電極、柵極絕緣層、有源層、源電極和漏電極以及像素電極；所述有源層具有導電區域、被所述源電極和漏電極覆蓋的覆蓋區域以及包圍于所述覆蓋區域外側的暴露區域；像素電極搭接在所述漏電極、所述有源層的暴露區域以及所述柵極絕緣層的上表面上。

優選地，上述陣列基板中，所述有源層的暴露區域的寬度范圍為0.5μm～1.0μm。

優選地，上述陣列基板中，還包括位于所述有源層與所述源電極和漏電極之間的歐姆接觸層，所述歐姆接觸層位于所述源電極和所述漏電極對應的區域。

優選地，上述陣列基板中，所述有源層的覆蓋區域的厚度大于所述有源層的暴露區域的厚度。

本發明還公開了一種陣列基板的制備方法，包括：在基底上形成包括柵電極的圖形、柵極絕緣層、包括有源層的圖形；還包括：

步驟1：通過構圖工藝形成源電極和漏電極，使所述有源層的圖形具有導電區域、被所述源電極和漏電極覆蓋的覆蓋區域以及包圍于所述覆蓋區域外側的暴露區域；

步驟2：在所述漏電極、所述有源層的暴露區域以及所述柵極絕緣層的上表面上形成像素電極。

優選地，上述制備方法中，所述步驟1包括：

步驟101：在所述有源層的圖形上方涂覆一層源漏電極層薄膜，并在所述源漏電極層薄膜上涂覆光刻膠，曝光、顯影后對源漏電極層薄膜進行刻蝕以形成源電極和漏電極的圖形；

步驟102：對位于所述源電極和漏電極上保留的光刻膠的邊緣進行處理，暴露出所述光刻膠外邊緣下方的源電極和漏電極；

步驟103：對步驟102中暴露出的所述源電極和漏電極進行刻蝕，暴露出所述源電極和漏電極外邊緣下方的有源層，形成所述有源層的暴露區域；

步驟104：剝離所述源電極和漏電極上的光刻膠。

優選地，上述制備方法中，所述步驟102包括：采用六氟化硫和氧氣對所述光刻膠進行轟擊，使得所述光刻膠收縮，暴露出所述光刻膠邊緣下方的源電極和漏電極。

優選地，上述制備方法中，所述六氟化硫的含量范圍為30～50sccm，所述氧氣的含量范圍為1500～2500sccm，轟擊功率范圍為4500～5500W，處理時間范圍為30～40s。

優選地，上述制備方法中，所述步驟103包括：采用氯氣和氧氣對暴露出的所述源電極和漏電極進行刻蝕。