[發(fā)明專利]雙層交錯正交相切圓環(huán)及內切子圓環(huán)陣列電磁屏蔽光窗

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410052268.X
• 申請日: 2014-02-14
• 公開（公告）號: CN103813702B
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發(fā)明（設計）人: 譚久彬;陸振剛;林沈;王赫巖
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業(yè)大學
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.雙層交錯正交相切圓環(huán)及內切子圓環(huán)陣列電磁屏蔽光窗，在光窗透明基片或襯底的兩側平行放置兩層金屬網(wǎng)柵，兩層金屬網(wǎng)柵具有相同的單元外形和結構參數(shù)，每層金屬網(wǎng)柵均由相同直徑的金屬圓環(huán)作為基本圓環(huán)(10)按二維正交分布排列密接排布構成并加載于光窗透明基片或襯底表面，且相鄰基本圓環(huán)(10)外切連通；其特征在于：兩層金屬網(wǎng)柵(3)和(7)旋轉交錯排列，在單層金屬網(wǎng)柵中每個基本圓環(huán)(10)內設有與其內切連通、金屬的子圓環(huán)(11)，所述的基本圓環(huán)(10)與其內切連通的子圓環(huán)(11)共同組成二維網(wǎng)柵結構的基本單元；所述的基本圓環(huán)(10)與其內切連通的子圓環(huán)(11)的直徑為毫米至亞毫米量級，所述的基本圓環(huán)(10)與其內切連通的子圓環(huán)(11)的金屬線條寬度為微米至亞微米量級；所述的旋轉交錯排列是指：透明基片或襯底兩側的金屬網(wǎng)柵按非對稱放置時，兩層金屬網(wǎng)柵之間具有相對旋轉，相對旋轉角度為交錯角；所述的外切連通包括：①兩圓環(huán)外切且外切切點處設置將兩圓環(huán)連通的連接金屬(12)，②兩圓環(huán)在連接處線條呈無縫交疊結構，③兩圓環(huán)在連接處線條呈無縫交疊結構的同時，在交疊處設置將兩圓環(huán)連通的連接金屬(12)；所述的內切連通包括：①兩圓環(huán)內切且內切切點處設置將兩圓環(huán)連通的連接金屬(12)，②兩圓環(huán)在連接處線條呈無縫交疊結構，③兩圓環(huán)在連接處線條呈無縫交疊結構的同時，在交疊處設置將兩圓環(huán)連通的連接金屬(12)。

2.根據(jù)權利要求1所述的雙層交錯正交相切圓環(huán)及內切子圓環(huán)陣列電磁屏蔽光窗，其特征在于：每個基本單元內子圓環(huán)(11)個數(shù)大于或等于2個，且直徑相同或不同，相鄰子圓環(huán)(11)的圓心和基本圓環(huán)(10)圓心連線所組成的夾角為任意角度，不同基本單元中的子圓環(huán)(11)為等直徑或非等直徑圓環(huán)，個數(shù)相同或不同。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的雙層交錯正交相切圓環(huán)及內切子圓環(huán)陣列電磁屏蔽光窗，其特征在于：基本單元內相鄰子圓環(huán)(11)外切連通或相交。

4.根據(jù)權利要求2所述的雙層交錯正交相切圓環(huán)及內切子圓環(huán)陣列電磁屏蔽光窗，其特征在于：基本單元中子圓環(huán)(11)的直徑相同，相鄰子圓環(huán)(11)的圓心和基本圓環(huán)(10)圓心連線所組成的夾角相等；不同基本單元中的子圓環(huán)(11)個數(shù)相同，直徑相等。

5.根據(jù)權利要求4所述的雙層交錯正交相切圓環(huán)及內切子圓環(huán)陣列電磁屏蔽光窗，其特征在于：不同基本單元中的子圓環(huán)(11)相對位置相同，并由一個基本單元復制后按二維正交分布排列密接排布構成單層二維金屬網(wǎng)柵。

6.根據(jù)權利要求4所述的雙層交錯正交相切圓環(huán)及內切子圓環(huán)陣列電磁屏蔽光窗，其特征在于：在一單層二維金屬網(wǎng)柵陣列中，相鄰基本單元中的子圓環(huán)(11)相對位置不同，并由一個基本單元復制后按二維正交分布排列密接排布構成二維金屬網(wǎng)柵陣列，其中任意一個基本單元相對于其相鄰基本單元在二維平面內繞自身基本圓環(huán)(10)圓心旋轉一定角度。

7.根據(jù)權利要求6所述的雙層交錯正交相切圓環(huán)及內切子圓環(huán)陣列電磁屏蔽光窗，其特征在于：同一行中的任意基本單元相對于前一相鄰基本單元依次按照相同的旋轉方向旋轉的角度相同。

8.根據(jù)權利要求1所述的雙層交錯正交相切圓環(huán)及內切子圓環(huán)陣列電磁屏蔽光窗，其特征在于：基本圓環(huán)(10)與子圓環(huán)(11)均由導電性能良好的合金構成，且合金厚度大于100nm。

9.根據(jù)權利要求1所述的雙層交錯正交相切圓環(huán)及內切子圓環(huán)陣列電磁屏蔽光窗，其特征在于：金屬網(wǎng)柵與光窗透明基片或襯底材料之間用鉻或者鈦材料構成的粘接層粘接。

10.根據(jù)權利要求1所述的雙層交錯正交相切圓環(huán)及內切子圓環(huán)陣列電磁屏蔽光窗，其特征在于：雙層金屬網(wǎng)柵的交錯角度選取范圍在1°～25°，27°～35°，37°～52°，54°～88°。

11.根據(jù)權利要求1所述的雙層交錯正交相切圓環(huán)及內切子圓環(huán)陣列電磁屏蔽光窗，其特征在于：附有雙層金屬網(wǎng)柵的透明基片或襯底厚度小于5mm。