[發(fā)明專利]基板處理裝置及基板處理方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410052093.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-02-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103996598B | 公開(公告)日: | 2017-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 泉本賢治;三浦丈苗;小林健司;西東和英;巖﨑晃久 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 斯克林集團(tuán)公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003 | 代理人: | 金相允,向勇 |
| 地址: | 日本國京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,用于處理基板,其特征在于,
具備:
環(huán)狀支撐部,具有以上下方向的中心軸為中心的環(huán)狀的形狀,用于從下側(cè)支撐水平狀態(tài)的基板的外緣部;
下表面對(duì)置部,具有在上述環(huán)狀支撐部的內(nèi)側(cè)與上述基板的下表面對(duì)置的對(duì)置面;
旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),使上述環(huán)狀支撐部與上述基板一同以上述中心軸為中心相對(duì)于上述下表面對(duì)置部進(jìn)行旋轉(zhuǎn);
第一處理液供給部,向上述基板的上表面供給第一處理液;
第二處理液供給部,從設(shè)在上述下表面對(duì)置部的處理液噴嘴向上述基板的上述下表面供給第二處理液;以及
至少一個(gè)噴氣噴嘴,從上述對(duì)置面突出,用于向上述基板的上述下表面噴出已加熱的氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,上述對(duì)置面是隨著遠(yuǎn)離上述中心軸而遠(yuǎn)離上述基板的傾斜面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,在上述中心軸的延伸方向上,上述至少一個(gè)噴氣噴嘴和上述基板的上述下表面之間的距離在8mm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,上述至少一個(gè)噴氣噴嘴相對(duì)于上述中心軸傾斜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述至少一個(gè)噴氣噴嘴是多個(gè)噴氣噴嘴,
上述多個(gè)噴氣噴嘴之一的噴氣噴嘴的噴出口與上述中心軸之間的距離,不同于其他一個(gè)噴氣噴嘴的噴出口與上述中心軸之間的距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其特征在于,還具備用于形成密閉的內(nèi)部空間的密閉空間形成部,該內(nèi)部空間為利用上述第一處理液及上述第二處理液來對(duì)上述基板進(jìn)行處理的空間。
7.一種基板處理裝置,用于處理基板,其特征在于,
具備:
密閉空間形成部,用于形成密閉的內(nèi)部空間;
密閉空間開閉機(jī)構(gòu),以使作為上述密閉空間形成部的一部分的活動(dòng)部相對(duì)于其他部位移動(dòng),由此來開閉上述密閉空間形成部;
基板保持部,配置在上述密閉空間形成部?jī)?nèi),以水平狀態(tài)保持基板;
藥液供給部,用于向上述基板的上表面供給藥液;
惰性氣體供給部,用于向上述內(nèi)部空間供給惰性氣體;
排氣部,用于排出上述內(nèi)部空間內(nèi)的氣體;以及
控制部,利用上述排氣部排出上述內(nèi)部空間內(nèi)的氣體,且利用上述惰性氣體供給部向上述內(nèi)部空間供給上述惰性氣體,來使密閉的上述內(nèi)部空間處于惰性氣體填充狀態(tài),在上述惰性氣體填充狀態(tài)下,由上述藥液供給部向上述基板供給上述藥液時(shí),停止向上述內(nèi)部空間供給上述惰性氣體,且停止排出上述內(nèi)部空間內(nèi)的氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置,其特征在于,
還具備:
頂板,在上述基板的上方,以覆蓋上述基板的方式沿著上述上表面擴(kuò)展,在由上述藥液供給部向上述基板供給上述藥液時(shí),靠近上述上表面;
噴嘴,將來自上述藥液供給部的上述藥液供給于上述頂板和上述上表面之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置,其特征在于,上述控制部在開始向上述基板供給上述藥液之前,停止向上述內(nèi)部空間供給上述惰性氣體,且停止排出上述內(nèi)部空間內(nèi)的氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求7~9中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其特征在于,還具備清洗液供給部,在結(jié)束由上述藥液供給部向上述基板供給上述藥液之后,由該清洗液供給部向上述基板的上述上表面供給清洗液。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理裝置,其特征在于,在結(jié)束向上述基板供給上述藥液之后且在開始向上述基板供給上述清洗液之前,上述控制部使上述排氣部排出上述內(nèi)部空間內(nèi)的氣體。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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