[發明專利]一種陣列基板制造方法、陣列基板及顯示設備在審
| 申請號: | 201410050914.9 | 申請日: | 2014-02-14 |
| 公開(公告)號: | CN103809318A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 王孝林 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1333 | 分類號: | G02F1/1333;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 制造 方法 顯示 設備 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板制造方法、陣列基板及顯示設備。
背景技術
隨著顯示技術的不斷提高,人們對于顯示裝置的要求也在不斷提高,在各種顯示技術中,TFT-LCD(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,薄膜晶體管液晶顯示器)技術因其所具有的低能耗以及成本低廉等優點已廣泛地應用于各種顯示領域。
液晶顯示設備通常使用液晶分子的光學各向異性和偏振特性產生圖像,由于光學各向異性的特性,光的偏振隨液晶分子的取向方向而變化。通過改變施加給液晶層的電場即可控制液晶分子的取向方向,從而可以改變通過液晶層光線的明暗變化。因此,一般的液晶顯示設備包括分別設置于液晶層兩側的陣列基板和彩膜基板,而在陣列基板或彩膜基板的表面通常設置有電極結構,通過改變電極的電壓可以在電極之間激發出電場,從而實現對液晶分子的控制。
現有液晶顯示設備中的陣列基板的結構通常如圖1所示,包括由多條柵線11和數據線12劃分成的呈矩陣形式排列的像素單元13,每一個像素單元13的內部設置有開關晶體管TFT,通過采用多條平行設置的柵線11逐行打開各像素單元13的TFT,并通過數據線12通過TFT向與該TFT相連的像素電極(圖1中未示出)輸入顯示信號,實現對液晶層電場的控制。對于傳統的陣列基板設計而言,為了確保柵線或數據線之間不發生短路等不良,各條柵線或數據線之間通常彼此獨立地平行設置,如圖1所示。然而,在陣列基板的工序制程中,一些靜電將不可避免地產生在陣列基板的內部,此外,在基板搬運的過程中,如在曝光裝置、測量裝置或檢測裝置之間進行裝載或卸載時,同樣可能會產生靜電,而這些靜電難以通過現有的電路結構導出或消除,從而滯留在柵線或數據線上,產生靜電損壞,嚴重影響陣列基板上電子器件的質量,從而降低顯示裝置的產品質量。尤其是對于GOA(Gate?Driver?on?Array,陣列基板行驅動)產品而言,由于GOA電路并無防靜電電路的設計,靜電所產生的影響對于GOA電路內的電子器件尤為明顯。
發明內容
本發明的實施例提供一種陣列基板制造方法、陣列基板及顯示設備,可以消除在陣列基板的制作過程中所產生的靜電。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
本發明實施例的一方面,提供一種陣列基板制造方法,包括:
在基板的表面分別形成多條柵線和數據線,所述柵線和所述數據線橫縱交叉構成多個呈矩陣形式排列的像素單元,并且形成第一電極圖案和/或第二電極圖案,其中,各柵線通過所述第一電極圖案相互電連接,各數據線通過所述第二電極圖案相互電連接;
刻蝕所述第一電極圖案和/或第二電極圖案,以使得各柵線以及各數據線之間彼此電絕緣。
進一步地,在形成有所述第一電極圖案的情況下,所述柵線、所述第一電極圖案以及公共電極線的圖案采用相同材料,通過一次構圖工藝同層形成。
進一步地,在形成所述柵線、所述第一電極圖案以及所述公共電極線的圖案之后,所述方法還包括:
在基板上逐層形成柵絕緣層、接觸層以及樹脂層;
在任意兩條柵線之間與所述第一電極圖案對應的位置,貫通所述柵緣層、接觸層以及樹脂層形成過孔以露出所述第一電極圖案,通過所述過孔對所述第一電極圖案進行刻蝕。
其中,在刻蝕掉位于任意兩條柵線之間的所述第一電極圖案之后,所述方法還包括:
在基板上形成鈍化層。
需要說明的是,在形成有所述第二電極圖案的情況下,所述數據線與所述第二電極圖案采用相同材料,通過一次構圖工藝同層形成。
此外,所述第一電極圖案和/或所述第二電極圖案位于所述陣列基板的非顯示區域;
其中,所述陣列基板的顯示區域包括像素單元。
本發明另一實施例還提供一種根據如上項所述的陣列基板制造方法制造的陣列基板。
本發明又一實施例還提供有一種顯示設備,所述顯示設備包括如上所述的陣列基板。
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