[發(fā)明專利]一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410049914.7
• 申請日: 2014-02-13
• 公開（公告）號: CN103794688B
• 公開（公告）日: 2016-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉寶林;陳志遠;朱麗虹;曾凡明;林飛
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200
• 代理人: 馬應森

1.一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1）在GaN基LED外延片表面蒸鍍透明導電層；

2）在步驟1）生長的透明導電層上生長一層掩膜層；

3）在步驟2）生長的掩膜層上涂上壓印膠，利用具有納米結(jié)構(gòu)的硬模板直接進行納米壓印，脫模后在膠體表面形成納米結(jié)構(gòu)；

4）對外延片進行殘膠去除以保證膠體納米孔狀結(jié)構(gòu)中的殘膠均被移除；

5）對外延片進行刻蝕以除去掩膜層未被壓印膠覆蓋的部分，即將壓印膠的納米結(jié)構(gòu)復制到掩膜層上；

6）去除掩膜層表面所有殘余壓印膠；

7）在外延片表面再次蒸鍍與步驟1）所述相同的透明導電層；

8）去除外延片表面殘余掩膜層，在透明導電層上得到光子晶體結(jié)構(gòu)；

9）將上述步驟得到的光子晶體結(jié)構(gòu)采用傳統(tǒng)工藝即得到光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED。

2.如權(quán)利要求1所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟1）中，所述透明導電層選自氧化銦錫、氧化鋅、ZnO：Al、摻氟氧化錫、鉬氧化銦、石墨烯中的一種。

3.如權(quán)利要求1所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述掩膜層采用任何一種易于生長和加工的薄膜層。

4.如權(quán)利要求3所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述易于生長和加工的薄膜層選自氧化硅、氮化硅、鉻中的一種。

5.如權(quán)利要求1所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述掩膜層的厚度大于目的光子晶體結(jié)構(gòu)厚度。

6.如權(quán)利要求1所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟4）中，所述對外延片進行殘膠去除采用氧氣等離子體去除。

7.如權(quán)利要求1所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟6）中，所述去除掩膜層表面所有殘余壓印膠的方法，采用氧氣等離子體或丙酮溶液進行處理。

8.如權(quán)利要求1所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟7）中，所述透明導電層的蒸鍍厚度小于步驟2）中所述掩膜層的厚度。