[發(fā)明專利]一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410049914.7 | 申請日: | 2014-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN103794688B | 公開(公告)日: | 2016-11-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉寶林;陳志遠;朱麗虹;曾凡明;林飛 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門大學 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 馬應森 |
| 地址: | 361005 *** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光子 晶體結(jié)構(gòu) gan led 制備 方法 | ||
1.一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
1)在GaN基LED外延片表面蒸鍍透明導電層;
2)在步驟1)生長的透明導電層上生長一層掩膜層;
3)在步驟2)生長的掩膜層上涂上壓印膠,利用具有納米結(jié)構(gòu)的硬模板直接進行納米壓印,脫模后在膠體表面形成納米結(jié)構(gòu);
4)對外延片進行殘膠去除以保證膠體納米孔狀結(jié)構(gòu)中的殘膠均被移除;
5)對外延片進行刻蝕以除去掩膜層未被壓印膠覆蓋的部分,即將壓印膠的納米結(jié)構(gòu)復制到掩膜層上;
6)去除掩膜層表面所有殘余壓印膠;
7)在外延片表面再次蒸鍍與步驟1)所述相同的透明導電層;
8)去除外延片表面殘余掩膜層,在透明導電層上得到光子晶體結(jié)構(gòu);
9)將上述步驟得到的光子晶體結(jié)構(gòu)采用傳統(tǒng)工藝即得到光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED。
2.如權(quán)利要求1所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法,其特征在于在步驟1)中,所述透明導電層選自氧化銦錫、氧化鋅、ZnO:Al、摻氟氧化錫、鉬氧化銦、石墨烯中的一種。
3.如權(quán)利要求1所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法,其特征在于在步驟2)中,所述掩膜層采用任何一種易于生長和加工的薄膜層。
4.如權(quán)利要求3所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法,其特征在于在步驟2)中,所述易于生長和加工的薄膜層選自氧化硅、氮化硅、鉻中的一種。
5.如權(quán)利要求1所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法,其特征在于在步驟2)中,所述掩膜層的厚度大于目的光子晶體結(jié)構(gòu)厚度。
6.如權(quán)利要求1所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法,其特征在于在步驟4)中,所述對外延片進行殘膠去除采用氧氣等離子體去除。
7.如權(quán)利要求1所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法,其特征在于在步驟6)中,所述去除掩膜層表面所有殘余壓印膠的方法,采用氧氣等離子體或丙酮溶液進行處理。
8.如權(quán)利要求1所述一種光子晶體結(jié)構(gòu)GaN基LED的制備方法,其特征在于在步驟7)中,所述透明導電層的蒸鍍厚度小于步驟2)中所述掩膜層的厚度。
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