[發明專利]一種光子晶體結構GaN基LED的制備方法有效
| 申請號： | 201410049914.7 | 申請日： | 2014-02-13 |
| 公開（公告）號： | CN103794688B | 公開（公告）日： | 2016-11-09 |
| 發明（設計）人： | 劉寶林;陳志遠;朱麗虹;曾凡明;林飛 | 申請（專利權）人： | 廈門大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 馬應森 |
| 地址： | 361005 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光子 晶體結構 gan led 制備 方法 | ||
1.一種光子晶體結構GaN基LED的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1）在GaN基LED外延片表面蒸鍍透明導電層；
2）在步驟1）生長的透明導電層上生長一層掩膜層；
3）在步驟2）生長的掩膜層上涂上壓印膠，利用具有納米結構的硬模板直接進行納米壓印，脫模后在膠體表面形成納米結構；
4）對外延片進行殘膠去除以保證膠體納米孔狀結構中的殘膠均被移除；
5）對外延片進行刻蝕以除去掩膜層未被壓印膠覆蓋的部分，即將壓印膠的納米結構復制到掩膜層上；
6）去除掩膜層表面所有殘余壓印膠；
7）在外延片表面再次蒸鍍與步驟1）所述相同的透明導電層；
8）去除外延片表面殘余掩膜層，在透明導電層上得到光子晶體結構；
9）將上述步驟得到的光子晶體結構采用傳統工藝即得到光子晶體結構GaN基LED。
2.如權利要求1所述一種光子晶體結構GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟1）中，所述透明導電層選自氧化銦錫、氧化鋅、ZnO：Al、摻氟氧化錫、鉬氧化銦、石墨烯中的一種。
3.如權利要求1所述一種光子晶體結構GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述掩膜層采用任何一種易于生長和加工的薄膜層。
4.如權利要求3所述一種光子晶體結構GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述易于生長和加工的薄膜層選自氧化硅、氮化硅、鉻中的一種。
5.如權利要求1所述一種光子晶體結構GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述掩膜層的厚度大于目的光子晶體結構厚度。
6.如權利要求1所述一種光子晶體結構GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟4）中，所述對外延片進行殘膠去除采用氧氣等離子體去除。
7.如權利要求1所述一種光子晶體結構GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟6）中，所述去除掩膜層表面所有殘余壓印膠的方法，采用氧氣等離子體或丙酮溶液進行處理。
8.如權利要求1所述一種光子晶體結構GaN基LED的制備方法，其特征在于在步驟7）中，所述透明導電層的蒸鍍厚度小于步驟2）中所述掩膜層的厚度。
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