[發明專利]半導體集成電路裝置

有效

• 申請號: 201410049847.9
• 申請日: 2014-02-13
• 公開（公告）號: CN104009033B
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 有山稔
• 申請（專利權）人: 艾普凌科有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;馬建軍

1.一種半導體集成電路裝置，其集成在半導體基板上，其特征在于，

所述半導體集成電路裝置具有熔斷器電路以及與所述熔斷器電路的輸出端子連接的開關電路，

所述熔斷器電路具有串聯連接在第一電位的第一端子與第二電位的第二端子之間的相同布局形狀的第一熔斷器和第二熔斷器，

構成所述第一熔斷器的電阻體的方塊電阻大于構成所述第二熔斷器的電阻體的方塊電阻，

設所述第一熔斷器與所述第二熔斷器的連接點為所述輸出端子，

在沒有切斷所述第一熔斷器和所述第二熔斷器中的任何熔斷器的狀態下，所述輸出端子的電位成為與所述第一電位和所述第二電位的中點電位相比更接近所述第二電位的電位，所述開關電路構成為在所述輸出端子的電位為與所述中點電位相比更接近所述第一電位的電位時接通，在所述輸出端子的電位為與所述中點電位相比更接近所述第二電位的電位時斷開。

2.一種半導體集成電路裝置，其集成在半導體基板上，其特征在于，

所述半導體集成電路裝置具有熔斷器電路以及具備多個輸入端的邏輯電路，

所述熔斷器電路具有串聯連接在第一電位的第一端子與第二電位的第二端子之間的相同布局形狀的第一熔斷器和第二熔斷器，

構成所述第一熔斷器的電阻體的方塊電阻大于構成所述第二熔斷器的電阻體的方塊電阻，

設所述第一熔斷器與所述第二熔斷器的連接點為所述邏輯電路的一個輸入端，

根據沒有切斷所述第一熔斷器和所述第二熔斷器中的任何熔斷器的狀態、以及切斷了所述第一熔斷器和所述第二熔斷器中的任意一方的狀態，切換輸入到所述邏輯電路的另一個輸入端的邏輯信號的正邏輯和負邏輯。

3.根據權利要求1或2所述的半導體集成電路裝置，其特征在于，

所述第一熔斷器和所述第二熔斷器中的一方是低電阻多晶硅，另一方是高電阻多晶硅。