[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法、以及搭載了半導體裝置的系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410049715.6
• 申請日: 2014-02-13
• 公開（公告）號: CN103985722B
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發(fā)明（設計）人: 葛西大樹
• 申請（專利權）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;李洋

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

第1導電類型的第1半導體層，在所述第1導電類型的第1半導體層的一主面上具備第2導電類型的第1區(qū)域、和與所述第1區(qū)域隔開且與所述第2導電類型相反的第2區(qū)域；

第2半導體層，其隔著絕緣層設置在所述第1半導體層的所述一主面上并且具有電路元件；

多層布線層，其具備最下層的第1布線層部和最上層的第2布線層部，所述最下層的第1布線層部具備形成在所述第2半導體層上的第1層間絕緣膜和形成在所述第1層間絕緣膜上的第1布線層，所述最上層的第2布線層部具備第2層間絕緣膜和第2布線層，所述第2布線層形成在所述第2層間絕緣膜上且經由所述第1布線層部與所述第1區(qū)域以及所述電路元件連接；以及

導電部，其構成為包括貫通導電部和電極并且與其他部位電隔離，所述貫通導電部與所述第2區(qū)域連接且將所述絕緣體層以及所述多層布線層從所述一主面貫通至所述第2布線層部的所述第2層間絕緣膜，所述電極形成在所述第2布線層部的第2布線層并與所述貫通導電部連接。

2.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

第1導電類型的第1半導體層；

絕緣體層，其設置在所述第1半導體層的一主面上；

第2導電類型的第2半導體層，其導電類型與設置在所述絕緣體層中的所述第1導電類型相反；

電路元件，其設置在所述第2半導體層；

多層布線層，其具備多個分別包括層間絕緣膜和層疊在該層間絕緣膜上的布線層的層疊體，所述多層布線層以最下部的層疊體的層間絕緣膜位于所述絕緣體層上且其他層疊體的層間絕緣膜位于下部的層疊體的布線層上的方式層疊所述多個層疊體而形成，并且將所述多個層疊體的預先決定的層疊體的布線層經由貫通所述絕緣體層而設置的貫通電極與所述電路元件連接；

電路元件區(qū)域，在該電路元件區(qū)域中單位區(qū)域被形成為多個陣列狀，所述單位區(qū)域包括多個所述第2導電類型的第1區(qū)域和浮動電極部，多個所述第2導電類型的第1區(qū)域經由貫通所述絕緣體層而設置的貫通電極與所述多層布線層連接且形成在所述第1半導體層的所述一主面，所述浮動電極部配置在多個所述第1區(qū)域的中央并且包括貫通導電體、導電部以及所述第1導電類型的第2區(qū)域，所述貫通導電體是將所述絕緣體層以及所述多層布線層從所述第1半導體層的所述一主面貫通至所述多層布線層的最上部的層疊體的層間絕緣膜的表面而設置的，所述導電部構成為包括電極并且與其他部位電隔離，所述電極形成在所述多層布線層的最上部的層疊體的布線層并與所述貫通導電體連接，所述第1導電類型的第2區(qū)域與所述導電部連接并且形成在所述第1半導體層的所述一主面，該第1導電類型的第2區(qū)域的雜質濃度比所述第1半導體層高。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

還具備所述第1導電類型的第3區(qū)域，該第1導電類型的第3區(qū)域是以包圍所述電路元件、所述第1區(qū)域以及所述第2區(qū)域的方式而設置的，并且經由將所述絕緣體層以及所述多層布線層從所述第1半導體層的所述一主面貫通至所述多層布線層的最上部的層疊體的層間絕緣膜的表面而設置的貫通電極，與形成在所述多層布線層的最上部的層疊體的布線層的電極連接，并且所述第1導電類型的第3區(qū)域形成在所述第1半導體層的所述一主面，該第1導電類型的第3區(qū)域的雜質濃度比所述第1半導體層高。

4.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，

在與所述第1半導體層的所述一主面相反一側的主面還具備與所述第1半導體層電連接的背面電極。

5.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1導電類型是N型，所述第2導電類型是P型。

6.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1區(qū)域以及所述第1半導體層作為檢測放射線的傳感器而被構成。

7.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

還具備電壓施加單元，該電壓施加單元經由所述多層布線層向所述第1區(qū)域施加負極側的電位，向所述第3區(qū)域施加正極側的電位。