[發明專利]顯示裝置、驅動顯示裝置的方法及電子設備無效
| 申請號: | 201410049665.1 | 申請日: | 2014-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN104008725A | 公開(公告)日: | 2014-08-27 |
| 發明(設計)人: | 多田羅智史 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | G09G3/32 | 分類號: | G09G3/32;G09G3/20 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;陳桂香 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 驅動 方法 電子設備 | ||
技術領域
本發明涉及一種顯示裝置、驅動顯示裝置的方法及電子設備,且更具體而言,本發明涉及分別能夠在不損害屏幕的一致性的情況下獲得高品質顯示圖像的一種顯示裝置、驅動顯示裝置的方法及電子設備。
背景技術
有機EL(電致發光)顯示裝置、液晶顯示器(LCD)、等離子顯示面板(PDP)等等被廣泛稱為平板顯示裝置。
某些有機EL顯示裝置快速地執行閾值校正,其中,驅動晶體管的閾值電壓的變化得到校正,從而使得發光時段設定為更長(例如,參見第2009-294507號日本未經審查專利申請公開公報)。
然而,在第2009-294507號日本未經審查專利申請公開公報中的顯示裝置中,由于增加了校正掃描信號AZ或對寫入掃描信號WS進行三元處理(ternary?processing)而使得驅動器的成本提高,并且為了具有4Tr/1C配置而必須添加晶體管,因此,相應地造成成品率等等的下降。
發明內容
本發明期望在不損害屏幕的一致性的情況下以更簡單的配置來獲得高品質顯示圖像。
根據本發明實施例,提供一種顯示裝置,所述顯示裝置設置有排列成矩陣形式的像素,所述像素中的每一個包含:電光器件;晶體管;及電容器,所述電容器是通過在第一半導體層與第二半導體層之間設置金屬層而形成,所述第一半導體層形成所述晶體管的源極區及漏極區,且所述第二半導體層形成于與形成有所述第一半導體層的層不同的層中,其中,在從所述電光器件發光期間,對所述金屬層施加使所述電容器的電容值增大的電壓。
所述像素中的每一個包含作為所述電容器的用于保持圖像信號的信號電壓的保持電容器,且所述保持電容器的所述金屬層與寫入晶體管的柵電極設置于同一層中,所述寫入晶體管用于將所述信號電壓寫入到所述保持電容器。
可在從所述電光器件發光期間對所述保持電容器的所述金屬層施加使所述保持電容器的所述電容值增大的電壓。
所述像素中的每一個還包含作為所述電容器的輔助電容器,所述輔助電容器用作所述電光器件的等效電容的輔助,所述輔助電容器的所述金屬層與驅動晶體管的柵電極設置于同一層中,所述驅動晶體管用于驅動所述電光器件,且可在將所述信號電壓寫入到所述保持電容器期間,對所述輔助電容器的所述金屬層施加使所述輔助電容器的電容值增大的電壓。
可在對所述驅動晶體管的閾值電壓進行校正期間分別對所述保持電容器的所述金屬層及所述輔助電容器的所述金屬層施加使所述保持電容器的所述電容值減小的電壓及使所述輔助電容器的所述電容值減小的電壓。
所述金屬層與布線層可設置于同一層中。
根據本發明實施例,提供一種驅動顯示裝置的方法,所述方法包括:制備顯示裝置,所述顯示裝置設置有排列成矩陣形式的像素,所述像素中的每一個包含電光器件、晶體管及電容器,所述電容器是通過在第一半導體層與第二半導體層之間設置金屬層而形成,所述第一半導體層形成所述晶體管的源極區及漏極區,且所述第二半導體層形成于與形成有所述第一半導體層的層不同的層中;及在從所述電光器件發光期間,對所述金屬層施加使所述電容器的電容值增大的電壓。
根據本發明實施例,提供一種電子設備,所述電子設備設有顯示裝置,所述顯示裝置包含排列成矩陣形式的像素,所述像素中的每一個包括:電光器件;晶體管;及電容器,所述電容器是通過在第一半導體層與第二半導體層之間設置金屬層而形成,所述第一半導體層形成所述晶體管的源極區及漏極區,且所述第二半導體層形成于與形成有所述第一半導體層的層不同的層中,其中,在從所述電光器件發光期間,對所述金屬層施加使所述電容器的電容值增大的電壓。
在本發明各實施例中,在從所述電光器件發光期間對所述金屬層施加使所述電容器的所述電容值增大的所述電壓。
在本發明各實施例中,使得能夠在不損害屏幕的一致性的情況下以更簡單的配置來獲得高品質顯示圖像。
應理解,上文總體說明及下文詳細說明均為例示性的,且旨在提供對所主張的技術的進一步解釋。
附圖說明
所包含的附圖用于對本發明提供進一步的理解,且并入本說明書并構成本說明書的一部分。附圖圖示了各實施例,且與本說明書一起用來解釋本發明的原理。
圖1為圖示根據本發明實施例的有源矩陣顯示裝置的方塊圖。
圖2為圖示像素電路的配置示例的圖。
圖3為用于描述像素電路的操作的時序圖。
圖4為用于描述驅動晶體管的遷移率的差異的圖。
圖5為圖示具有頂柵結構的晶體管的剖面結構的剖面圖。
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