[發明專利]在多晶硅上形成金屬硅化物的方法和半導體器件

有效

• 申請號: 201410049252.3
• 申請日: 2014-02-12
• 公開（公告）號: CN104835728B
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 聞正鋒;馬萬里;趙文魁;黃杰
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/285
• 代理公司: 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙)11343
• 代理人: 尚志峰,汪海屏

1.一種在多晶硅上形成金屬硅化物的方法，其特征在于，包括：

在硅半導體襯底上生長了硅半導體外延層之后，在所述硅半導體外延層上生長柵氧化層，并在所述柵氧化層上沉積多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成作為柵極的多晶硅線條；

在所述多晶硅層上沉積第一氧化層；

刻蝕所述第一氧化層，在所述多晶硅線條的側壁上形成側墻；

在所述多晶硅線條上制作需覆蓋金屬硅化物的多晶硅裸露區域，具體包括：

在形成所述側墻的多晶硅層上沉積第二氧化層；

采用光刻及刻蝕在所述第二氧化層上制作第二氧化層窗口，露出所述多晶硅線條的表層，形成所述多晶硅裸露區域；

沉積金屬層，對所述金屬層進行熱處理，在所述多晶硅裸露區域上生成所述金屬硅化物；

去除未生成所述金屬硅化物的金屬。

2.根據權利要求1所述的在多晶硅上形成金屬硅化物的方法，其特征在于，采用干法刻蝕所述第一氧化層，所述第一氧化層的厚度為800埃～2000埃。

3.根據權利要求1所述的在多晶硅上形成金屬硅化物的方法，其特征在于，采用化學液清洗生成所述二氧化硅窗口后保留的光阻層。

4.根據權利要求3所述的在多晶硅上形成金屬硅化物的方法，其特征在于，所述化學液為硫酸與雙氧水的混合溶液。

5.根據權利要求1所述的在多晶硅上形成金屬硅化物的方法，其特征在于，所述第二氧化層的厚度為500埃～1000埃。

6.根據權利要求1所述的在多晶硅上形成金屬硅化物的方法，其特征在于，所述對所述金屬層進行熱處理的溫度為650攝氏度～750攝氏度，時間為20秒～40秒。

7.根據權利要求1所述的在多晶硅上形成金屬硅化物的方法，其特征在于，所述去除未生成所述金屬硅化物的金屬之后，還包括：

對所述金屬硅化物進行熱處理，熱處理溫度為800攝氏度～900攝氏度，時間為20秒～40秒。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的在多晶硅上形成金屬硅化物的方法，其特征在于，所述金屬層為鈦。

9.一種金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述金屬氧化物半導體器件采用如權利要求1至8中任一項所述的在多晶硅上形成金屬硅化物的方法制作而成。