[發明專利]n型擴散層形成用組合物、n型擴散層的制造方法以及太陽能電池元件的制造方法

在審

• 申請號: 201410048996.3
• 申請日: 2012-07-03
• 公開（公告）號: CN103839787A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 佐藤鐵也;吉田誠人;野尻剛;岡庭香;町井洋一;巖室光則;木澤桂子;織田明博;足立修一郎
• 申請（專利權）人: 日立化成株式會社
• 主分類號: H01L21/225
• 分類號: H01L21/225;H01L31/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種n型擴散層形成用組合物，其包括：含有施主元素，軟化溫度為500℃以上且900℃以下，且平均粒徑為5μm以下的玻璃粉末；以及分散介質。

2.根據權利要求1所述的n型擴散層形成用組合物，其中，所述玻璃粉末的d90為20μm以下。

3.根據權利要求1或2所述的n型擴散層形成用組合物，其中，所述施主元素為選自磷P及銻Sb中的至少1種。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的n型擴散層形成用組合物，其中，含有所述施主元素的玻璃粉末包括：選自由P₂O₃、P₂O₅及Sb₂O₃所組成的組中的至少1種含施主元素的物質，以及選自由SiO₂、K₂O、Na₂O、Li₂O、BaO、SrO、CaO、MgO、BeO、ZnO、PbO、CdO、SnO、ZrO₂及MoO₃所組成的組中的至少1種玻璃成分物質。

5.一種n型擴散層的制造方法，其包括：在半導體基板上賦予權利要求1～4中任一項所述的n型擴散層形成用組合物的工序；以及對所述賦予后的半導體基板實施熱擴散處理的工序。

6.一種太陽能電池元件的制造方法，其包括：在半導體基板上賦予權利要求1～4中任一項所述的n型擴散層形成用組合物的工序；對所述賦予后的半導體基板實施熱擴散處理，從而形成n型擴散層的工序；以及在所形成的所述n型擴散層上形成電極的工序。